Материаловедение

Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу Материаловедение

Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .

Страницы: 1 2 3... 348 349 350 351 352 353 354... 382 383 384

	 Материалы с особыми электрическими свойствами 351 Перемещение индуктора Метод зонного выравнивания (рис. 17.19) применяют также для полу­чения легированных монокристаллов с однородной проводимостью по длине. Очищенный монокристалл вместе с затравкой помещают в вакуумную ка­меру. После оплавления затравки ин­дуктор перемещают вправо с постоян­ной скоростью. В расплавленную зону вводят легирующую примесь. Из формулы (17.3) следует, что по­стоянство концентрации примеси в прутке будет достигнуто при малом К, если легирующая примесь введена в него в большом количестве и убыль ее в ходе процесса ничтожно мала. При большом значении К (см. рис. 17.19) расплав быстро обедняется, что вызы­вает уменьшение примеси в монокри­сталле. Степень легирования, так же как и степень очистки, контролируют изме­нением электрического сопротивления. Специальными методами определяют тип проводимости, время жизни или диффузионную длину Ь. Измеренные параметры указывают в марках легиро­ванных полупроводников. Некоторые марки чистого и легиро­ванного германия и кремния приведены в табл. 17.7. Первая цифра в марке указывает значение электрического со­противления, а вторая-диффузионную длину Ь. Для получения /7-и-переходов исполь­зуют диффузионный или сплавно-диф- Рис. 17.19. Зонное выравнивание монокрис­талла обогащении расплава легирующей при­месью состав растущего монокристалла незначительно изменяется по длине и его можно выровнять снижением ско­рости вытягивания. Коэффициент распределения снижает­ся при уменьшении скорости вытягива­ния (см. рис. 17.16). Используя это, мож­но начать процесс выращивания моно­кристалла из расплава при скорости юх. Для компенсации увеличения концен­трации легирующей примеси в расплаве вследствие убыли атомов полупровод­ника скорость вытягивания юх со време­нем несколько снижают. Это приводит к снижению К и обеспечивает постоян­ство легирующей присадки в растущем монокристалле. ТАБЛИЦА 17.7. Свойства чистого и легированного германия и кремния Элемент Тип прово­димости Легирующий элемент Марка р- 102, Ом ■ м Ъ, мм п _ ГЭ40/3,0 36 3,0 ве р ГДГ5/1,0 4,2-5,7 1,0 п ГЭС 10/1,0 8-12 1,0 п р п р р в КЭ 150/0,3 КД40/0,2 КЭФ7,5/0,5 КДБ7,5/0,5 100 - 200 30-50 6-9 6-9 0,2 0,2 0,5 0,5 rss Карта

Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу