Материаловедение

Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу Материаловедение

Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .

Страницы: 1 2 3... 347 348 349 350 351 352 353... 382 383 384

	 350 Материалы, применяемые в машино- и приборостроении лов затруднено вследствие высокой стоимости процесса. Последнее обусло­влено либо низкой производитель­ностью, либо высокой температурой плавления и химической активностью компонентов, либо летучестью одного из компонентов соединения (АШВ¥, АПВ¥1). Применение тонких пленок толщиной 15-20 мкм улучшает параметры прибо­ра. Излишняя толщина пластин ухуд­шает частотные свойства приборов из-за роста потерь. При резке объемных монокристаллов нельзя получить пла­стины тоньше, чем 100-200 мкм. Эпитаксиальные пленки выращивают на подложке из монокристалла того же или другого материала. В первом слу­чае эпитаксиальный слой при правиль­ной технологии становится есте­ственным продолжением подложки. Ес­ли подложка из другого материала, то эпитаксиальная пленка полупроводника будет монокристаллической только в том случае, если между кристаллогра­фическими решетками имеется струк­турное и размерное соответствие, т. е. межатомные расстояния будут отли­чаться не более чем на 25 %. Наиболее прост и технологически управляем процесс получения эпитак-сиальных пленок методом водородного восстановления хлоридов (рис. 17.18). Такой метод используют для получе­ния высокоомных пленок германия и кремния на монокристаллических низ-коомных подложках. Хлориды кремния или германия испа­ряются, транспортируются потоком во­дорода к подложке и восстанавливают­ся по реакции 81СЦ + 2Н2 = 81 + 4НС1. Пары чистого полупроводника оса­ждаются на подогреваемой подложке. Этот же метод положен в основу по­лучения легированных и сложных полу­проводниковых веществ. Помимо хло­ридов основного элемента в камеру Рис. 17.18. Схема установки для выращи­вания эпитаксиальных пленок кремния вводят хлориды либо иные соединения легирующих веществ. Легирование полупроводников и полу­чение р-п-переходов. Чистый беспри­месный полупроводник-исходный ма­териал для изготовления полупроводни­ковых приборов. В нем создают элект­ронно-дырочный р-и-переход, возникаю­щий на стыке зон разной проводимости, который позволяет выпрямлять и уси­ливать ток, превращать различные виды энергии в электрическую и т. д. Для получения в монокристаллах определенной проводимости применяют специальное легирование очищенных германия или кремния. Легирующие элементы вводят в микродозах, содер­жание их не превышает 10~5-10-7%. Для полупроводниковых приборов ис­пользуют пластины, на которые разре­зают легированные объемные монокри­сталлы определенной проводимости Для стабильности рабочих характери­стик таких приборов монокристалл дол­жен иметь по всей длине однородную проводимость, т. е. равномерное рас­пределение легирующей примеси. Метод вытягивания монокристалла из расплава очищенного полупроводника с введенной легирующей примесью-один из способов получения легиро­ванных монокристаллов германия и кремния. Легирующие примеси должны иметь небольшие значения коэффициента рас­пределения. Только в этом случае при rss Карта

Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу