Материаловедение

Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу Материаловедение

Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .

Страницы: 1 2 3... 345 346 347 348 349 350 351... 382 383 384

	 348 Материалы, применяемые в машино- и приборостроении При использовании затравки или ам­пулы с острым концом слиток германия будет монокристаллическим. Метод вытягивания монокристалла из расплава используют для очистки от примесей, у которых коэффициент К = 1 (рис. 17.15). При медленном росте кристалла, ли­шенного дефектов, атомам примеси трудно внедряться в кристаллическую решетку основного элемента, и моно­кристалл получается химически чистым. Германий помещают в тигель и рас­плавляют в вакууме, а затем поддержи­вают расплав при температуре несколь­ко выше температуры плавления. В расплав опускают затравку, которая представляет собой брусок сечением 5x5 мм, вырезанный из монокристал­ла германия в определенном кристалло­графическом направлении. К затравке предъявляют жесткие требования в от­ношении дефектов кристаллографиче­ской структуры, так как все ее дефекты «наследуются» в монокристалле, ухуд­шая его полупроводниковые свойства. Затравку слегка оплавляют для устране­ния остаточных напряжений, возникших при ее механической обработке, так как они дезориентируют кристаллографиче­ские плоскости в растущем кристалле и приводят к получению поликристалла. После оплавления затравку медленно вытягивают из расплава, который вследствие адгезии приподнимается над поверхностью, охлаждается и затверде­вает. Рис. 17.14. Схема установки зонной очистки: 1 — затравка; 2 — расплавленная зона шириной / кристалла, обогащенный примесью, от­резают. При методе зонной очистки (рис. 17.14) пруток химически очищенно­го германия помещают в вакуум и при помощи индуктора ТВЧ расплавляют узкую зону /, в которой и скапливаются примеси, имеющие К < 1. Вместе с пере­мещением индуктора и расплавленной зоны примеси сгоняются к правому кон­цу- Процесс повторяют многократно либо используют сразу несколько ин­дукторов и через них проталкивают гра­фитовую лодочку с прутком германия. После окончания процесса правый ко­нец прутка отрезают. Степень очистки по длине прутка х зависит от коэффициента распределе­ния примесей и отношения х/1: чем меньше К, тем, как следует из формулы (17.3), лучше очищается полупроводник. Лодочку (или индуктор) перемешают с постоянной скоростью, что обеспечи­вает постоянство К. Передвигаясь к правому концу, жидкая фаза и кри­сталл обогащаются примесью. Степень очистки возрастает, если при одинако­вой длине прутка ширина расплавлен­ной зоны / будет меньше. Кроме этого, степень очистки можно повысить за счет многократных проходов. Методом зонной очистки из германия можно удалить все примеси, за исклю­чением бора, у которого К — I. Рис. 17.15. Схема установ­ки для выращивания мо­нокристалла: 1 — вытягивающее устрой­ство ; 2 — затравка; 3 — мо­нокристалл; 4 — расплав по­лупроводника rss Карта

Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу