Материаловедение

Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу Материаловедение

Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .

Страницы: 1 2 3... 344 345 346 347 348 349 350... 382 383 384

	 Материалы с особыми электрическими свойствами 347 На этом конце из-за более низкой тем­пературы образуется центр кристалли­зации, на котором и растет монокри­сталл (см. гл. 2). Перечисленными мето­дами можно получать монокристалл с высоким значением удельного элект­рического сопротивления. Например, монокристалл германия при р = = 0,10 Омм имеет примеси в 1 м3 1020 атомов (см. рис. 17.10). Более глубокую очистку полупровод­никовых материалов (для германия р> >0,45 Омм), а также легирование в строго контролируемых микродозах проводят кристаллофизическими мето­дами. Основными из них являются ме­тоды направленной кристаллизации из расплавов. Кристаллофизические методы очистки основаны на различной растворимости примесей в твердой и жидкой фа­зах. Схема диаграммы состояния для гер­мания и примеси, которая при малых концентрациях образует с ним твердый раствор, показана на рис. 17.12. Если общее содержание примесей составляет №/а, то в процессе кристаллизации при температуре 720 °С примесей в твердой фазе /V, будет значительно меньше, чем в жидкой фазе 7УЖ. Распределение при­месей между фазами характеризуется коэффициентом распределения К, Рис. 17.13. Схема получения монокристал­ла методом нормальной направленной кристаллизации: а — горизонтальный; б — вертикальный; « — рас­пределение примесей по длине при различном К равным отношению концентрации при­месей : К = /Уа//Уж. (17.3) Таким образом, если К < 1, то при кристаллизации примеси скапливаются в жидкой фазе. Это явление легло в ос­нову нескольких методов очистки. Методы нормальной направленной кристаллизации (рис. 17.13) используют для очистки полупроводника от приме­сей, имеющих малое значение К, и для получения монокристаллов. Химически очищенный полупроводник помещают в ампулу (или в графитовую лодочку), которую перемещают в печи, имеющей по длине большой градиент темпера­туры. В начале процесса полупроводник расплавляется, а затем часть его, попа­дая в зону печи с пониженной темпера­турой, кристаллизуется. Если кристал­лизация начинается с острого конца ампулы, то растет очищенный монокри­сталл. Примеси, у которых К< 1, сохра­няются в жидкой фазе. Распределение примеси по длине кристалла при нор­мальной направленной кристаллизации для разных значений К показано на рис. 17.13. После затвердевания конец Рис. 17.12. Схема диаграммы состояния системы германий —примесь rss Карта

Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу