Материаловедение

Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу Материаловедение

Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .

Страницы: 1 2 3... 341 342 343 344 345 346 347... 382 383 384

	 344 Материалы, применяемые в машино- и приборостроении ТАБЛИЦА 17.6. Ширина запрещенной зоны и структура сложных полупроводниковых фаз Соединение Кристаллическая решетка Тип связи Ширина запрещенной зоны, 10"19 Дж Название Формула Тип Карбид кремния БІС д1УВ1У Гексагональная Ковалентный 4,5 Антимониды Арсеннды ОаАв АШВУ Кубическая Ионно-ковалент-ный 0,43 2,4 Сульфиды гп$ Сей А»ВУ' Гексагональная Ионный 5,9 3,8 Оксиды гпо РеО Кубическая 5,1 2,4 жен в центре правильного тетраэдра и имеет четырех соседей, с которыми он вступает в ковалентную связь (см. рис. 1.12), достраи­вая свою валентную зону до восьми электро­нов (рис. 17.9). В результате каждый ва­лентный электрон становится «общим» для двух атомов и валентная зона каждого атома оказывается заполненной. Появление электрического тока в полупро­воднике возможно лишь тогда, когда часть электронов покидает заполненную валент­ную зону и переходит в зону проводимости, где они становятся носителями электриче­ского тока. Для такого перехода электроны должны пройти зону запрещенных энергий АЕ, для чего необходима определенная энер­гия, которую полупроводник может полу­чить в виде света или теплоты. При нагреве увеличивается концентрациа носителей электрического тока, а электрическое сопро­тивление полупроводника уменьшается. Чем больше ширина запрещенной зоны, тем выше должна быть температура нагрева полупроводника для разрушения кова-лентных связей и образования носителей то­ка. Так, у кремния ширина запрещенной зоны существенно выше, чем у германия, по- этому при нагреве кремний сохраняет высо­кие постоянные значения электрического со­противления до больших температур. Это позволяет использовать кремниевые при­боры для работы при более высоких темпе­ратурах, чем германиевые. В кристаллах с ковалентной связью прово­димость электрического тока может осу­ществляться как путем перемещения элект­ронов (электронная-п-проводимость), так и путем перемещения «дырок» (дырочная-р-проводимость). Вследствие большой подвиж­ности электронов в «идеальных» кристаллах химически чистого полупроводника элект­ронная проводимость превалирует. В ре­альных кристаллах химически чистых герма­ния и кремния может превалировать дыроч­ная проводимость из-за неизбежных дефек­тов в упаковке атомов (дислокации, вакан­сии, границы зерен, блоков и т. д.). Проводи­мость в химически чистом полупроводнике называется собственной проводимостью. Од­нако получить химически чистые элементы весьма сложно. Вследствие этого полупро­водники всегда содержат примесн, которые меняют характер и величину проводимости. Электрическая проводимость, обусловленная Рис. 17.9. Схема ковалент­ной связи в кремнии: й —чистом; б — легирован­ном акцепторной примесью; в — легированном донорной примесью rss Карта

Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу