Материаловедение

Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу Материаловедение

Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .

Страницы: 1 2 3... 25 26 27 28 29 30 31... 382 383 384

	 28 Закономерности формирования структуры материалов гам. Вектор, который нужен для за­мыкания контура, называется вектором Бюргерса. У краевой дислокации вектор Бюргерса равен межатомному расстоя­нию и перпендикулярен дислокацион­ной линии, у винтовой дислокации — па­раллелен ей. Плотность дислокаций-суммарная длина всех линий дислокаций в единице объема. В полупроводниковых кристал­лах она равна 104— 105 см~2, у ото­жженных металлов-106 — 108 см-2 При холодном пластическом деформи­ровании плотность дислокаций возра­стает до 1011 — 1012 см-2. Попытка уве­личить плотность свыше 1012 см-2 быстро приводит к появлению трещин и разрушению металла. Дислокации по­являются при кристаллизации, плот­ность их большая, поэтому они значи­тельно влияют на свойства материалов. Дислокации наряду с другими дефекта­ми участвуют в фазовых превращениях, рекристаллизации, служат готовыми центрами при выпадении второй фазы из твердого раствора. Вдоль дислока­ций скорость диффузии на несколько порядков выше, чем через кристалличе­скую решетку без дефектов. Дислокации служат местом концентрации при­месных атомов, в особенности примесей внедрения, так как это уменьшает иска­жения решетки. Примесные атомы образуют вокруг дислокации зону повы­шенной концентрации-так называемую атмосферу Коттрелла, которая мешает движению дислокаций и упрочняет металл. Плотность дислокации Рис. 1.23. Зависимость предела текучести от плотности дефектов: 1 — идеальный кристалл без дефектов; 2 — без­дефектные кристаллы «усы»; 3 — отожженные металлы; 4 — металлы с увеличенной плотностью дефектов после обработки Особенно велико влияние дислокаций на прочность кристаллов. Благодаря подвижным дислокациям эксперимен­тально определенный предел текучести металлов в 1000 раз меньше теоретиче­ского значения. При значительном уве­личении плотности дислокаций и умень­шении их подвижности прочность уве­личивается в несколько раз по срав­нению с отожженным состоянием. Проч­ность бездефектных участков (в том числе длинных и тонких «усов», получен­ных кристаллизацией из газовой фазы) приближается к теоретической (рис. 1.23). В полупроводниках дислокации влияют на электрические и другие свой- Рис. 1.24. Схемы строения большеугловых (а) и малоугловых (б) границ rss Карта

Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу