Материаловедение
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 10 11 12 13 14 15 16... 382 383 384
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Строение и свойства материалов
13 |
|
|
|
|
|
практически не заметна на
кубических структурах.
Таков же характер влияния
симметрии структуры на удельное электрическое
сопротивление.
Магнитные свойства анизотропны и
на кубических кристаллах. Например, намагниченность ферромагнетиков,
имеющих кубическую решетку, различна в разных кристаллографических
направлениях. Для Fea (ОЦК) направление легкого
намагничивания направление [100], для Ni (ГЦК) направление [111], для Со
(ГПУ)-направление [110].
Анизотропия свойств кристаллов
проявляется при использовании монокристаллов,
полученных искусственным путем. В природных условиях
кристаллические тела-поликристаллы, т. е. состоят
из множества мелких различно ориентированных кристаллов. В этом случае
анизотропии нет, так как среднестатистическое расстояние между
атомами по всем направлениям оказывается примерно одинаковым. В связи
с этим поликристаллические тела считают мни-моизотропными. В процессе
обработки давлением поликристалла кристаллографические плоскости
одного индекса в различных зернах могут ориентироваться параллельно.
Такие поликристаллы называют
текстурованными, |
ТАБЛИЦА 1.3. Модуль упругости
кристаллов |
|
|
|
|
|
и они, подобно монокристаллам,
анизотропны.
Значения свойств поликристаллов
занимают промежуточные положения в интервалах значений для
монокристаллов, как это видно на примере модуля упругости
металлов (табл. 1.3).
Прочность и пластичность
монокристалла меди изменяются в зависимости от направления
(ав = 350 -f- 180 МПа; 5=10-^50%).
Для поликристаллической меди ав = 250 МПа и 5 = 40
%. |
|
|
1.2. Влияние типа связи на
структуру и свойства кристаллов
Тип связи, возникающий между
элементарными частицами в кристалле, определяется электронным
строением атомов, вступающих во взаимодействие. Элементарные частицы в
кристалле сближаются на определенное расстояние, которое обеспечивает
кристаллу наибольшую термодинамическую стабильность. Расстояние, на
которое сближаются частицы, определяется взаимодействием сил,
действующих в кристалле. Силы притяжения возникают благодаря
взаимодействию электронов с положительно заряженным ядром
собственного атома, а также с положительно заряженными ядрами
соседних атомов. Силы отталкивания возникают в результате взаимодействия
положительно заряженных ядер соседних атомов при их
сближении.
Силы отталкивания проявляются
при сильном сближении и растут интенсив- |
|
|
ТАБЛИЦА 1.2. Температурный
коэффициент линейного расширения кристаллов |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 10 11 12 13 14 15 16... 382 383 384
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
