Материаловедение
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 9 10 11 12 13 14 15... 382 383 384
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
12 Закономерности формирования структуры
материалов |
|
|
|
|
|
трических соображений, можно
определить отношение периодов с/а, если элементарные частицы
обладают сферической симметрией. Оно равно 1,633.
На этом же рисунке отмечены
частицы, обозначенные на рис. 1.6 буквами А к В. Для
гранецентрированной кубической решетки шары А принадлежат
первому слою, шары В к С соответственно второму и третьему
слоям. Оба эти слоя заштрихованы. Только четвертый слой повторяет первый.
Заштрихованные плоскости-это плоскости плотной упаковки.
При отклонении элементарных
частиц от сферической симметрии возможно образование гексагональных
структур с отношением параметров, отличающихся от значения 1,633, а также
структуры объемно-центрированного куба (см. рис. 1.7).
Кристаллографические индексы. По
параллельным направлениям свойства одинаковы, поэтому достаточно
указать для всего семейства параллельных прямых одно
направление, проходящее через начало координат. Это дает возможность
определить направление прямой только одной точкой, так как другой
всегда служит начало координат. Такой точкой является узел
кристаллической решетки, занимаемый элементарной частицей. Координаты
этого узла выражают целыми числами и, г, и> в единицах отрезков
а, Ь, с, заключают в квадратные скобки [и, и,
м>] и называют индексами направления. Их всегда
выражают целыми числами, а отрицательное значение индекса
обозначается знаком минус над индексом (рис. 1.8, а).
Положение плоскости в
пространстве определяется отрезками, отсекаемыми плоскостью по осям
хуг. Эти отрезки выражают целыми числами т, п, р
в единицах отрезков а, Ь, с. Принято за индексы
плоскостей брать обратные отрезки: Ь = \/т\ к=1/п; 1=1/р.
Три этих числа И, к, I,
заключенные |
в круглые скобки, называют
индексами плоскости (рис. 1.8,6). Если плоскость
отсекает по осям отрицательные отрезки, то это отмечается знаком
минус над соответствующим индексом.
Плоскости плотной упаковки (см.
рис. 1.7, заштрихованные плоскости) называют плоскостями
скольжения, так как по этим плоскостям смещаются атомы при
пластической деформации кристалла.
Для кристаллов с ГЦК решеткой
плоскостями скольжения будут плоскости семейства (111). Для
кристаллов с ГПУ решеткой с отношением с/а > 1,633
плоскостью скольжения будет плоскость базиса-шестигранного
основания призмы. При отношении с/а < < 1,633
плоскостями скольжения будут также и плоскости призмы.
Анизотропия. Это
зависимость свойств кристалла от направления, возникающая в
результате упорядоченного расположения атомов (ионов, молекул) в
пространстве.
Свойства кристаллов определяются
взаимодействием атомов. В кристалле расстояния между атомами в
различных кристаллографических направлениях различны, а поэтому
различны и свойства.
Анизотропия присуща всем
свойствам кристаллов. Наиболее сильно она проявляется в кристаллах со
структурами, обладающими малой симметрией (табл. 1.2).
Из приведенных значений
температурных коэффициентов линейного расширения в кристаллах по
трем взаимно перпендикулярным осям видно, что анизотропия резко
проявляется на структурах моноклинной и ромбической,
но |
|
|
|
|
|
|
Рис. 1.8.
Кристаллографические индексы направлений (а) и
плоскостей (6) |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 9 10 11 12 13 14 15... 382 383 384
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |