Металлургия черных металлов
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 252 253 254 255 256 257 258... 354 355 356
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
тальных значений максимального касательного напряжения
можно объяснить, если
учесть, что в
реальных кристаллах имеют место несовершенства решетки. Это
примеси, образующие растворы внедрения и
замещения, отсутствие атомов в
узлах решетки, лишние атомы между
узлами решетки и
др. Дислокации являются особым видом несовершенства. Различают дислокации линейные и
винтовые. Линейная дислокация представляет собой несовершенство решетки, когда над
плоскостью скольжения
и ниже ее
число атомов в
плоскостях
неодинаково. Лишняя по
сравнению с идеальной решеткой плоскость
вызывает искажения —
сжатие или растяжение решетки.
Под действием сдвигающих напряжений дислокация перемещается вдоль плоскости скольжения. Для
перемещения дислокации требуется меньшее касательное напряжение, так
как атомы находятся в
состоянии неустойчивого равновесия в
решетке. Винтовая дислокация заключается в
том, что часть кристаллической решетки на
некотором протяжении оказывается сдвинутой на
один параметр решетки относительно другой. При
винтовой дислокации лишней атомной плоскости нет.
Дислокации зарождаются при
кристаллизации
металлов и их
сплавов, а также образуются в
процессе
пластической деформации. В
процессе пластической деформации дислокации могут образоваться по
механизму Франка— Рида. Сущность механизма образования дислокаций Франка —
Рида заключается в
следующем. Линейная дислокация, зародившаяся при
кристаллизации, под действием касательных напряжений выгибается и
принимает форму полуокружности. Этому моменту соответствует
наибольшее значение касательных напряжений. При
дальнейшем выгибании дислокация принимает форму замкнутой кривой (окружности), внутри которой остается
исходная
дислокационная линия. Наружная дислокация
разрастается до внешней поверхности кристалла, а
внутренняя вновь выгибается, порождая новую дислокацию. Препятствием движению дислокаций являются границы блоков и
кристаллов. При пластической деформации
кристаллы дробятся, увеличивается число блоков
и протяженность их
границ. Скопление дислокаций затрудняет зарождение новых дислокаций, так
как для их
генерирования теперь потребуются большие касательные
напряжения. Усилие, необходимое для
осуществления пластической деформации, возрастает с
увеличени- |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 252 253 254 255 256 257 258... 354 355 356
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
