тока в позиции рис. 2.22,
а еще нет. Тем не менее в этом, пока еще только механическом
контакте уже идут чисто электрические процессы. Удар, создав неравномерную
деформацию в микроконтактах / и 2, тем самым вызвал
сильную экзоэлектронную эмиссию, которая в малой мере существовала и
до того в этих выступах, так же как в точках 3, 4 и других,
за счет операции подготовки поверхности как механическими средствами, так
и химической обработкой. Неравенство температурных вспышек в точках 1 и 2 даст
неравенство и термоэлектронного эффекта. В механическом контакте на рис.
2.22, а уже циркулируют замкнутые электротоки К, плотности
которых могут быть и непредвиденно значительными.
Если сварочный ток включился
(рис. 2.22, б), то элементарные токи 11у
/2 могут алгебраически суммироваться'с круговыми
токами и тем самым вносить свое дополнительное усложнение в расчетную
формулу (1:79).
Остановимся еще некоторое время
на первом мгновении включения тока и посмотрим, что должно
происходить с сопротивлением контакта без учета замкнутых круговых
токов.
На рис. 2.23 воспроизведена
типовая кривая изменения полного сопротивления контакта
RKT во времени, подобная той, что представлена на
рис. 1.27, с той лишь разницей, что за первое мгновение после
включения тока длительностью tA изменение сопротивления
пирамид не показано. Это первое мгновение правильнее исследовать
отдельно, с помощью нижеприведенных формул и рис. 2.24,
а.
Изменение размеров микропирамиды
во времени можно представить такими закономерностями:
(2.63)
(2.64)
Температура единичных пирамид
Показатели степеней р, q,
п могут быть различными, в зависимости от программы изменения
давления электродов во времени. Удельное сопротивление микропирамид
определяем по формуле
(2.65)
Учитывая соотношения Д2.63),
(2.64), на рис. 2.24, а построены вероятные кривые изменения
размеров микропирамид в пределах времени длительностью
t&. На основании формулы (1.76) построена
кривая изменения сопротивления микропирамид, которую мы приближенно
определяем как электрическое сопротивление микрошероховатого контакта
гмг (рис. 2.24, а). Как 4* 99