Контактная сварка
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 94 95 96 97 98 99 100... 238 239 240
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
екого тока, их плотность в
различных участках проводящего элемента определяются, в первую
очередь, не геометрией проводника, а его физическими
характеристиками в зоне прохождения тока: магнитной
проницаемостью |Л, удельным сопротивлением р.
Обе эти характеристики, каждая по-своему, зависят от температуры и общих
|
|
|
|
|
|
|
магнитных или немагнитных
свойств свариваемого металла. |
Рис. 2.21. Моделирование
контакта в виде группы резисторов, на которых измеряется падение
напряжения |
|
|
|
|
|
При контактной точечной
сварке очень сложна не только конфигурация проводников, но также сложны и
очень нестабильны во времени температурные поля в зоне свариваемых
контактов.
С точки зрения вложения энергии
в зону свариваемого контакта нас интересуют два главнейших фактора:
программа изменения сварочного тока во времени и активные
сопротивления, которые определяют ту энергию Джоуля, которая обеспечивает
необходимую активацию свариваемого контакта. Для точечной сварки эта'
активация должна заканчиваться плавлением ядра будущей сварной точки. В
тексте, относящемся к рис. 1.25, уже предварительно было показано, что
измерять мы можем только полное сопротивление контакта /?кт,
равное для идеально чистых поверхностей
(2.62)
Раздельно измерить составляющие
гмг и ггт нельзя. Этот факт иллюстрируется еще одной
наглядной схемой измерения, приведенной на рис. 2.21. Контакт двух
микропирамид моделирован резистором гмг, а пучки линий
электрического тока по металлу (участки Ai — Вг и А2 — В2) моделированы резисторами
ггт. Здесь же показано, что измерительные проводники неизбежно
снимают суммарную разность потенциалов: гмг и ггт.
Для двух единичных пирамид
>
где 5д — площадь
микропирамиды.
Сопротивление всех контактирующих
микропирамид уже определялось по формуле (1.79). Сопротивление самого
металла ггт, в общем виде обозначенное через R, определялось по формулам
(2.23) и (2.25).
4 К. А. К чер
нн 97 |
|
|
|
|
|
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 94 95 96 97 98 99 100... 238 239 240
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |