Новые материалы
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 94 95 96 97 98 99 100... 734 735 736
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
2. МАТЕРИАЛЫ МИКРО- И
НАНОЭЛЕКТРОНИКИ |
|
|
|
|
|
няшний день наилучшие результаты
достигнуты при использовании метода ионной имплантации [30]. Процесс
осуществляется в следующей последовательности. Сначала в кремниевую
подложку имплантируют совместно ионы эрбия и кислорода в соотношении 1:10.
Затем осуществляется рекристаллизация полученного при имплантации
аморфизован-ного слоя путем термообработки при 620 °С в течение 3 ч.
Заключительной операцией является быстрый термический отжиг
рекристаллизован-ного слоя при 900 °С в течение 30 с, в процессе которого
происходит аннигиляция в нем остаточных дефектов. В результате удается
получать достаточно структурно совершенные монокристаллические слои с
концентрацией Ег до ~1020 см_3. Ожидается, что
такой прорыв в увеличении уровня легирования позволит уже в самое
ближайшее время на основе Si(Er) изготовить светоизлучающие диоды с
квантовой эффективностью излучения при комнатной температуре на
уровне 1 % и с приемлемыми для целей интеграции частотными
характеристиками. С умеренным оптимизмом оцениваются и перспективы
создания лазеров на основе монокристаллического кремния, легированного Ег,
а также на основе гетероструктур твердых растворов SiGe(Er).
Обнадеживающие результаты
получены и для структур на основе легированного эрбием аморфного
гидрированного кремния — a-Si:H(Er). В частности, в традиционных
^-/-«-структурах на основе этого материала при прямом включении
наблюдалась достаточно эффективная электролюминесценция при комнатной
температуре. Аналогичные результаты получены и для гетероструктур
типа Me/a-Si:H(Er)/ue-Si/Me (здесь ue-Si — микрокристаллический кремний).
При дальнейшей оптимизации такого рода структур можно с достаточным
оптимизмом оценивать возможность создания на их основе эффективных
излучающих структур с токовой накачкой [31].
Другим многообещающим
направлением создания эффективных излучателей является наращивание на
кремниевые подложки гетероэпитаксиальных структур прямозонных
соединений AniBv (GaAs, InGaP и др.). Так же, как и
в случае гетероструктур SiGe/Si, использование техники формирования
промежуточных буферных слоев в виде напряженных сверхрешеток, композиций с
градиентом состава по толщине или слоев, выращиваемых при сравнительно
низких температурах, в сочетании с многократными промежуточными
термообработками позволяет, например, получать на подложках кремния
эпитаксиальные слои GaAs с плотностью дислокаций NR
« 105 см-2. Этого еще недостаточно для создания
эффективно работающих при комнатной температуре лазеров, но
впол-
7-6928 д7 |
|
|
|
|
|
|
|
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 94 95 96 97 98 99 100... 734 735 736
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
|
|
|
