Новые материалы
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 93 94 95 96 97 98 99... 734 735 736
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
щественное влияние на стоимость
интегральной схемы. В этих условиях особую актуальность приобретает
проблема поиска новых принципов осуществления связи как между отдельными
элементами УСБИС и чипами, так и между различными функциональными
узлами сложной электронной аппаратуры. Сегодня, когда осуществляется
переход к широкомасштабной компьютеризации и созданию глобальных
систем связи и информатизации, эта проблема приобретает исключительную
остроту.
Заманчивой альтернативой
традиционным межсоединениям являются оптоэлектронные системы,
обеспечивающие возможность генерации, модуляции, усиления, передачи, а
также детектирования световых сигналов. Потенциальные возможности
таких систем трудно переоценить. Элементарная ячейка монолитного
оптоэлектронного устройства представляет собой результат
интегрирования, в пределах одной пластины источника излучения, волновода и
фотоприемника. Необходимым условием успешного использования
оптоэлектронных устройств является их хорошее геометрическое и
функциональное совмещение с элементами УСБИС. При этом технология их
изготовления должна хорошо совмещаться с технологией изготовления
самой интегральной схемы и необходимо максимально использовать хорошо
отработанные процессы и оборудование кремниевых приборных производств
[29].
Основной проблемой кремниевой
оптоэлектроники является проблема создания эффективного источника
излучения, роль которого выполняет светодиод или лазер. Кремний
является непрямозонным полупроводником, и эффективность межзонной
излучательной рекомбинации в нем очень низка. Определенным выходом из
этого положения является легирование кремния эрбием, примесью, которая
формирует в кристаллической решетке эффективные центры излучательной
рекомбинации с участием 4f электронов примесного атома. В процессе такой
рекомбинации генерируется излучение с длиной волны 1,54 мкм, для
которого сам кремний практически прозрачен и которое также соответствует
окну максимальной прозрачности оптических волноводов из кварцевого
стекла. К сожалению, растворимость Ег в Si составляет всего
~Ю16 см"3 (при 1300 °С). Этого явно недостаточно для
получения интенсивного излучения. Для увеличения содержания Ег в
кристаллической решетке используют неравновесные методы получения
сильнолегированных кремниевых слоев — ионную имплантацию,
молекулярно-лучевую эпитаксию, ион-но-лучевое напыление и др. Увеличению
содержания Ег в слое способствует и дополнительное его легирование
кислородом или фтором, с которыми эрбий образует достаточно стабильные
комплексы. На сегод- |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 93 94 95 96 97 98 99... 734 735 736
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
