Новые материалы
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 92 93 94 95 96 97 98... 734 735 736
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
2. МАТЕРИАЛЫ МИКРО- И
НАНОЭЛЕКТРОНИКИ |
|
|
|
|
|
гИи выращивания пленок
SiC, в том числе и на кремниевых подложках. Все это в сочетании с
последними достижениями в технологии получения тонкопленочных
алмазных структур позволяет с оптимизмом оценивать перспективы
быстрого развития высокотемпературной СВЧ-электро-ники, а также
высокотемпературной силовой электроники. Ожидаются и серьезные изменения в
технике бытового освещения. Замена традиционных ламп накаливания
высокоэффективными и малогабаритными светодиодными источниками
излучения на основе широкозонных полупроводников (прежде всего
нитридов элементов III группы) сулит огромные экономические выгоды и
существенное сокращение энергозатрат.
Если для кремния задача получения
особо чистых исходных летучих соединений для осуществления эпитаксиальных
процессов решается достаточно успешно, то для большинства
полупроводниковых соединений еще много нерешенных проблем, прежде всего в
применении к метал-лоорганическим соединениям, необходимая номенклатура
которых расширяется с каждым годом. В силу существенно большей
сложности, менее изученными (чем для кремния) остаются пока для
большинства соединений физико-химические процессы в газовой фазе у фронта
кристаллизации, а также процессы, протекающие на ростовой
поверхности. Это в значительной степени тормозит разработку эффективных
методов управления свойствами эпитаксиальных слоев, обусловленными
наличием в них собственных точечных дефектов. В меньших масштабах
используются методы математического и физического моделирования при
исследовании процессов тепломассопереноса в рабочем эпитаксиальном
реакторе, а также элементарных процессов кристаллизации и
дефектообразования при эпитаксиальном росте. И тем не менее, в
настоящее время высококачественные эпитаксиальные структуры важнейших
полупроводниковых соединений производятся уже в достаточно широких
промышленных масштабах. |
|
|
|
|
|
Материаловедческие проблемы
кремниевой оптоэлектроники
Увеличение плотности упаковки
рабочих элементов по мере совершенствования УСБИС приводит к резкому
возрастанию протяженности и усложнению архитектуры традиционных
проволочных межсоединений, которые превращаются в одно из основных
препятствий на пУти дальнейшего повышения быстродействия УСБИС,
а их изготовление становится все более дорогостоящей операцией,
оказывающей су- |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 92 93 94 95 96 97 98... 734 735 736
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
|
|
|
