Новые материалы
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 91 92 93 94 95 96 97... 734 735 736
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
получения структур GaAs, InP и
твердых растворов на их основе на подложках диаметром до 100...150 мм, а в
случае структур менее освоенных материалов — на подложках диаметром
50...75 мм.
Успешно решается и проблема
получения достаточно совершенных гетероэпитаксиальных композиций
соединений A!IIBV и
AnBVI на кремниевых и германиевых
подложках большой площади, а также на подложках хорошо освоенных и
сравнительно дешевых монокристаллов других «инородных» полупроводников.
При этом широко используются уже рассмотренные выше методы создания
промежуточных буферных слоев, позволяющие сгладить катастрофические
последствия различий периодов кристаллических решеток и коэффициентов
термического расширения элементов гетеропары. Особенно показательны в
этом отношении гетероструктуры GaAS/Si для полевых транзисторов и СВЧ
интегральных схем и гетероструктуры GaAs/GaAlAs/Ge для «космических»
солнечных батарей, где плотность дислокаций в рабочих слоях приборных
композиций снижена до уровня 104...105
см-2 (в первом случае) и до 103 см-3 (во
втором случае), что вполне достаточно для создания приборов с высокими
рабочими характеристиками.
Последнее десятилетие отмечено
серьезными достижениями в технологии создания эпитаксиальных
гетероструктур на основе нитрида галлия и других нитридов элементов
III группы. Несмотря на очевидные трудности, связанные с отсутствием
решеточно согласованных подложек (в качестве подложек в основном
используют пластины сапфира), интенсивное развитие получили процессы
выращивания гетероэпитаксиальных структур методами МОС-гидридной,
хлоридно-гидридной и моле-кулярно-пучковой эпитаксии, а также создание
специализированного прецизионного ростового оборудования [28]. И хотя
стуктурное совершенство получаемых гетерокомпозиций еще недостаточно,
сегодня мы являемся свидетелями впечатляющих достижений в разработке и
реализации важнейших новых полупроводниковых приборов на их основе.
Уже налажен коммерческий выпуск инжекционных голубых лазеров
непрерывного действия для систем записи и считывания информации, а
также высокоэффективных светодиодов для полноцветной световой
индикации и бытового освещения. Начинается производство
высокотемпературных СВЧ-транзисторов и силовых выпрямителей. В целом
элементная база твердотельной электроники на основе нитридов развивается
исключительно высокими темпами, а выращивание эпитаксиальных структур
этих материалов превращается в достаточно крупномасштабное
производство. Значительный прогресс достигнут в последние годы и в
техноло- |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 91 92 93 94 95 96 97... 734 735 736
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
|
|
|
