до 200 мм. Ожидается, что в
ближайшие годы станут доступны и пластины моноизотопного кремния.
Предварительные оценки показывают, что использование эпитаксиальных
структур и пластин 28Si в технологии УСБИС новых поколений
сулит значительные технико-экономические выгоды.
Эпитаксиалъные структуры полупроводниковых
соединений
В обширной группе
полупроводниковых соединений лидирующее положение занимают
эпитаксиальные структуры GaAs, InP, а также различные
гетерокомпозиции с участием тройных и четверных твердых растворов на
их основе. С каждым годом растет интерес к эпитаксиальным
гетерокомпозициям узкозонных соединений AinBv и их
твердых растворов, а также широкозонных нитридов элементов III группы
Периодической системы (полупроводниковые соединения в системе
AJ-Ga-In-N) и карбида кремния. Достаточно широким фронтом ведутся работы
по получению и исследованию свойств гомо- и гетероэпитаксиальных структур
на основе узкозонных соединений типа AnBVI и
AIVBV1, а также широкозонных соединений
AHBVI.
Тенденция перехода на
использование многослойных тонкопленочных композиций, в том числе
квантоворазмерных структур, в данном случае проявляется еще более рельефно
по сравнению с кремнием. В связи с этим является первоочередной задача
разработки и освоения низкотемпературных эпитаксиальных процессов.
Используемые при этом принципиальные подходы аналогичны для кремния.
Учитывая многообразие представляющих непосредственный практический интерес
объектов, упор делается на разработку достаточно универсальных базовых
технологических процессов и ростового оборудования, которые могли бы
быть достаточно несложно трансформированы с учетом индивидуальных
особенностей той или иной группы материалов. Такими базовыми
процессами являются газофазная эпитаксия с использованием в качестве
исходных материалов летучих металлоорганических соединений и гидридов
соответствующих элементов (МОС-гидридная эпитаксия), а также
молеку-лярно-пучковая эпитаксия. Оба эти технологических процесса доведены
До уровня достаточно широкого промышленного использования.
В настоящее время успешно
решаются задачи создания высокопроизводительных технологических
процессов и оборудования для получения гомо- и гетероэпитаксиальных
структур (в том числе и многослойных) на подложках большой площади. В
частности, речь идет о создании прецизионной автоматизированной
ростовой аппаратуры для
