Новые материалы
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 89 90 91 92 93 94 95... 734 735 736
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Для получения гетерокомпозиций с
низкой плотностью дислокаций используют технику наращивания промежуточных
(буферных) слоев между подложкой и рабочими слоями будущей приборной
структуры. В качестве буфера используют слои твердого раствора с
постепенно увеличивающейся до заданной величины концентрацией
германия, а также слои твердого раствора, выращенные при более низких, чем
рабочие слои, температурах (обычно ~ 550 °С). Такие «низкотемпературные»
слои содержат в повышенных концентрациях кластеры точечных дефектов,
являющиеся эффективными центрами гетерогенного зарождения в них
дислокаций, что способствует релаксации напряжений несоответствия в
выращиваемой гетерокомпозиций. Хорошие результаты дает использование
в качестве подложек структур кремния на диэлектрике с очень тонким
(нанометровых толщин) слоем бездислокационного монокристаллического
кремния на поверхности оксида. Такие структуры в настоящее время успешно
создаются методом прямого термокомпрессионного соединения пластин. В
данном случае тонкий слой кремния на поверхности диэлектрика играет роль
эластичной подложки, аккумулирующей значительную долю напряжений
несоответствия в процессе наращивания ге-тероэпитаксиальной композиции.
Одновременно со снижением плотности дислокаций все эти приемы успешно
решают и проблему шероховатости гетерограниц. Успешное освоение
методов получения гетероструктур SiGe/Si с низкой плотностью дислокаций и
планарными гетерограница-ми позволяет реально оценивать перспективы их
широкого использования в большой микроэлектронике уже в самое
ближайшее время.
По мере увеличения плотности
упаковки рабочих элементов УСБИС обостряются проблемы, связанные с отводом
выделяющейся в процессе работы электронной аппаратуры тепловой энергии.
Ограниченная теплопроводность обычного кремния становится серьезным
препятствием на пути дальнейшей микроминиатюризации и повышения рабочих
частот. Как показали исследования последних лет, определенным выходом из
создавшегося положения может явиться использование для изготовления УСБИС
моноизотопного 28Si. Удаление из особо чистого кремния
сопутствующих изотопов 29Si и 30Si позволяет
существенно уменьшить рассеяние фононов и электронов в таком
материале и тем самым повысить его теплопроводность при комнатной
температуре на 60 % (на 40 % при 100 °С) по сравнению с обычным кремнием.
При современном уровне развития техники разделения изотопов получение
моноизотопного кремния особых затруднений не вызывает. В настоящее
время уже начат промышленный выпуск эпитаксиальных структур
28Si диаметром |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 89 90 91 92 93 94 95... 734 735 736
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
|
|
|
