Новые материалы
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 88 89 90 91 92 93 94... 734 735 736
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
2. МАТЕРИАЛЫ МИКРО- И
НАНОЭЛЕКТРОНИКИ |
|
|
|
|
|
это далеко не предел для
гетеропереходных приборов). Эти результаты существенно выше достигнутых на
традиционных Si-MOC или Si-CMOC ^укхурах. Переход к созданию УСБИС на
основе гетеропереходных транзисторов, взамен традиционных кремниевых
приборных структур, позволяет добиваться аналогичных результатов при
существенно больших топологических размерах рабочих элементов (250 нм
вместо 130 нм или 130 нм вместо 70 нм), а при одинаковых топологических
размерах -обеспечивать гораздо более высокие частотные характеристики,
меньшие времена задержки и уровни шумов [27]. Все это сулит большие
научно-технические и экономические выгоды. Серьезные новые перспективы
открываются и при использовании многослойных, квантоворазмерных
гетероструктур SiGe/Si для создания быстродействующих
высокочувствительных фотоприемников ИК-диапазона.
Для получения тонкопленочных
гетероэпитаксиальных структур твердых растворов SiGe успешно
используют традиционную газофазную гидридную эпитаксию, а также методы
молекулярно-пучковой и высоковакуумной химической эпитаксии при
температурах 750...800 °С. Основной проблемой в получении
высококачественных гетероструктур является необходимость резкого
снижения плотности дислокаций в рабочих слоях приборных композиций и
устранения шероховатостей гетерограниц, вызывающих дополнительное
рассеяние носителей тока.
Рассогласование периодов
кристаллических решеток Si и Ge составляет - 4 %. Это является причиной
появления в эпитаксиальных гетероком-позициях в процессе их выращивания
достаточно больших напряжений несоответствия. По мере увеличения толщины
эпитаксиального слоя наблюдается частичная (или полная) релаксация
этих напряжений. Релаксация может происходить либо за счет
образования характерных шероховатостей на поверхности растущего слоя,
либо за счет генерации в нем дислокаций несоответствия, либо путем
одновременного действия обоих этих механизмов. Величины критических толщин
слоев образования дислокаций несоответствия в эпитаксиальных
гетероструктурах SiGe/Si очень малы. Например, при выращивании на
Si-подложках эпитаксиальных слоев состава Si07Ge03
эта величина равна ~ 100 А. В случае полной релаксации напряжений
несоответствия величина плотности наклонных дислокаций в таких слоях
находится на уровне 10ю... 1011 см"2, что
исключает возможность их использования в приборах. Для создания
высококачественных транзисторов плотность дислокаций в активной
области эпитаксиальной приборной композиции не должна
превышать |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 88 89 90 91 92 93 94... 734 735 736
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
|
|
|
