Новые материалы
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 87 88 89 90 91 92 93... 734 735 736
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
между попарно размещаемыми
подложками с помощью специальных сопел. Все это позволяет получать
эпитаксиальные структуры диаметром 400 мм, которые по своим рабочим
характеристикам (однородность по толщине и удельному сопротивлению,
структурное совершенство, содержание остаточных загрязняющих
примесей) не уступают структурам меньших диаметров.
Наряду с совершенствованием
традиционных эпитаксиальных процессов все более прочные позиции в
технологии создания кремниевых тонкопленочных эпитаксиальных структур
завоевывает метод молекулярно-пучковой эпитаксии. Развитие метода идет не
только по пути создания ультратонких многослойных гомо- и
гетероэпитаксиальных структур на подложках большой площади, но и синтеза в
едином технологическом цикле эпитаксиальных МДП-композиций, в том числе с
использованием различных вариантов локальной эпитаксии. Создаваемая
для этого аппаратура обеспечивает сочетание в едином технологическом цикле
процесса эпитаксиального наращивания с процессами ионной имплантации
в синтезируемый слой необходимых примесей, а также его лазерной или
электронно-лучевой обработки, или быстрого термического отжига. Все
это существенно расширяет возможности молекулярно-пучко-вой эпитаксии.
Быстрыми темпами развивается также высоковакуумная химическая
эпитаксия.
Эпитаксиальные технологии
открывают дорогу для широкого внедрения в кремниевую микроэлектронику
гетероструктур на основе твердых растворов SiGe. Такие гетероструктуры
обеспечивают принципиально новые возможности для создания
сверхбыстродействующих транзисторов на основе гетеропереходов SiGe/Si.
Широкие возможности вариации зонной структуры в многослойных
гетероэпитаксиальных композициях позволяют резко увеличивать эффективность
инжекции, дрейфовую скорость и пространственное ограничение носителей
тока в транзисторных структурах. При этом технология изготовления
гетероэпитаксиальных структур SiGe/Si хорошо вписывается в базовые
кремниевые эпитаксиальные технологические процессы, высокий уровень
развития которых позволяет достаточно воспроизводимо получать
гетерокомпозиции нано-метровых размеров и создавать квантоворазмерные
структуры типа структур с квантовыми ямами и напряженными
сверхрешетками, в том числе гетероструктуры с двумерным электронным
газом.
В результате уже сегодня стали
реальностью гетеропереходные биполярные и полевые транзисторы с
нанометровыми рабочими слоями на частоты ~ 200 ГГц с очень хорошими
шумовыми характеристиками (и |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 87 88 89 90 91 92 93... 734 735 736
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
|
|
|
