заряда — кристаллоинженерии. Уже
сегодня кристаллоинженерия активно вмешивается в конструирование на
атомном уровне совершенно новых приборных композиций. В ближайшем
будущем следует ожидать резкого прогресса в создании новых поколений
приборов полупроводниковой электроники, в основе работы которых будут
лежать разнообразные квантоворазмерные эффекты в разнообразных
квантоворазмерных композициях. Например, уже активно обсуждаются
возможности создания квантовых интегральных схем, основными
элементами которых должны стать квантовые точки, квантовые
проводники, квантовые ямы, транзисторные структуры на основе
квантоворазмерных эффектов и устройств с управляемой интерференцией
электронов [25].
Наряду с рассмотрением общих
вопросов целесообразно кратко остановиться на конкретном положении
дел в области эпитаксиальных технологий на примере кремния и наиболее
важных полупроводниковых соединений.
Кремниевые эпитаксиальные
структуры
Кремниевые эпитаксиальные
структуры являются серьезной альтернативой полированным пластинам при
изготовлении УСБИС уже хотя бы потому, что в эпитаксиальных слоях (в силу
специфики условий их получения) практически полностью отсутствуют
описанные выше ростовые микродефекты. Но основной причиной существенного
усиления внимания к эпитаксиальным технологиям является переход
микроэлектроники на субмикронный, а в ближайшем будущем и на нанометровый
уровень при формировании приборных структур, а также реальные перспективы
создания сверхбыстродействующих УСБИС на основе эпитаксиальных
гетероструктур в системе Si — твердые растворы SiGe.
Основной тенденцией в развитии
технологии традиционной кремниевой газофазовой эпитаксии становится
дальнейшее существенное снижение рабочих температур. Успех в освоении
низкотемпературных методов газофазовой эпитаксии во многом
определяется достижениями в повышении стерильности технологического
процесса, в первую очередь за счет создания вакуумплотного оборудования,
обеспечивающего возможность устойчивой работы при пониженных
давлениях в рабочем реакторе, и широкого использования радиационного
обогрева. Важную роль играет переход к использованию новых, более
легкодиссоциирую-щих газообразных источников кремния особой чистоты
(SiH4, Si2H6,
SiH2Cl2, SiH2F2), а также
применение нетермических (оптических, плазменных, электромагнитных и
т. д.) методов стимуляции эпитаксиальных
