цессов, как молекулярно-пучковая
эпитаксия и эпитаксия с применением металлоорганических соединений,
разработка и реализация принципов атомно-слоевой эпитаксии, умелое
использование идеологии наращивания промежуточных буферных слоев в
сочетании с различными вариантами термического отжига «ш situ»,
активное использование различных вариантов локального эпитаксиального
роста несомненно должны обеспечить серьезный прогресс в этом
направлении. Современные достижения в получении эпитаксиальньгх слоев
GaAs, GaAlAs, InP и других соединений АП1ВУ на
кремниевых подложках, создание напряженных сверхрешеток на основе
разнообразных комбинаций широкого круга полупроводниковых материалов
являются ярким тому подтверждением.
Вполне реальными для широкого
практического освоения в ближайшем будущем являются процессы
получения высококачественных монокристаллических слоев кремния,
арсенида галлия и других полупроводниковых материалов на изолирующих
(в том числе некристаллических) подложках большой площади, а также
процессы эпитаксиального выращивания многослойных гетерокомпозиций
типа металл—диэлектрик-полупроводник. В последнем случае, помимо
традиционных эпитаксиальньгх технологий, целесообразно использовать
интенсивно разрабатываемые в последние годы процессы создания скрытых
проводящих и диэлектрических слоев, путем высокодозовой ионной имплантации
(«ионного синтеза») и последующего термического отжига. Успешная
реализация последних требует детального исследования закономерностей
дефектообразования и механизма протекающих процессов на различных этапах
«ионного синтеза» и последующей твердотельной эпитаксии. Пока такого рода
исследования проводятся в основном в применении к кремнию. На очереди
другие важнейшие полупроводниковые материалы.
Последние достижения в
рассмотренных выше направлениях позволяют с оптимизмом оценивать
перспективы создания трехмерных интегральных схем, при реализации
которых будут умело сочетаться как традиционные для микроэлектроники
подходы, так и последние технологические новинки интегральной
оптики.
Успешное развитие методов
молекулярно-пучковой эпитаксии и газофазной эпитаксии с
использованием металлоорганических соединений привело к созданию, на
основе широкого круга полупроводниковых материалов, многослойных
гетероэпитаксиальных структур со сверхтонкими (на нанометровом
уровне) слоями. Основные свойства таких структур определяются
квантоворазмерными эффектами, и потому эти структуры получили
название «квантоворазмерные». Хорошо известными
