Новые материалы
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 82 83 84 85 86 87 88... 734 735 736
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
2. МАТЕРИАЛЫ МИКРО- И
НАНОЭЛЕКТРОНИКИ |
|
|
|
|
|
реакторе с применением в качестве
исходных продуктов легкодиссоци-ируюших соединений соответствующих
элементов: SiH4, Si2H6,
SiH2Cl2, gjjj p _ з случае эпитаксии кремния;
разнообразных гидридов и ме-таллоорганических соединений - в случае
эпитаксиального наращивания слоев полупроводниковых соединений
АШВУ, АпВщ, А^В^
и др. На уровень широкого промышленного использования должны выйти методы
молекулярно-ионно-пучковой эпитаксии, вакуумной химической и лазерной
эпитаксии, атомно-слоевой эпитаксии, а также различные способы
нетермической (оптической, плазменной, электронной и т. д.) стимуляции
эпитаксиальных процессов.
Основное внимание в развитии этих
технологий должно быть уделено изучению механизмов процессов,
протекающих в газовой фазе у фронта кристаллизации, а также процессов,
протекающих на ростовой поверхности. Необходимо также установить природу
стимулирующих воздействий на процесс эпитаксиального роста и научиться
управлять атомной структурой поверхности фронта кристаллизации. Все это
должно обеспечить возможность воспроизводимого выращивания
многослойных тонкопленочных структур широкого круга материалов с
толщинами отдельных слоев на нанометровом уровне, с атомно гладкими и
резкими (на уровне единичных моноатомных или мономолекулярных слоев)
границами раздела. При этом максимального внимания заслуживают
многослойные гетероэпитаксиальные композиции на основе твердых
растворов Ge—Si, широкозонных нитридов элементов III группы, SiC и
широкозонных соединений типа А1^^.
Большое значение приобретает
проблема получения гетероэпитаксиаль-ных композиций разнообразных
полупроводников с использованием в качестве подложек таких хорошо
освоенных и сравнительно дешевых материалов, как монокристаллические
кремний и германий. Особенно актуальна эта проблема для технологически
сложных разлагающихся полупроводниковых соединений, для которых
получение достаточно совершенных монокристаллов путем выращивания из
расплава встречает принципиальные затруднения. Ее решение открывает
путь к монолитной интеграции разнородных полупроводниковых
материалов, что является новым шагом в развитии полупроводникового
приборостроения. Однако при этом необходимо преодолеть ряд принципиальных
трудностей в создании структурно совершенных гетерокомпозиций,
обусловленных, прежде всего, существенными различиями в
кристаллических решетках и физико-химической природе составляющих
гетеропару материалов. Дальнейшее развитие таких гибких
низкотемпературных технологических про- |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 82 83 84 85 86 87 88... 734 735 736
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
