Выращивание эпитаксиальных
структур Общие
проблемы
С каждым годом процессы
эпитаксиального наращивания в сочетании с ионной имплантацией и
импульсным радиационным воздействием на материал играют все большую
роль в формировании активных элементов сложнейших приборных структур.
Особенно рельефно это проявляется в технологии широкой номенклатуры
приборов, создаваемых на основе полупроводниковых соединений
АШВУ, А1^^, А^В^ и др. В применении к
полупроводниковым соединениям именно эпитак-сиальные процессы позволяют
наиболее полно реализовать преимущества этих материалов, обеспечивая
получение монокристаллических слоев со свойствами, которые, как правило,
недостижимы при выращивании монокристаллов из расплава. Кроме того, в
процессах эпитаксиального наращивания сравнительно просто решаются
проблемы создания высококачественных многослойных гомо- и
гетероэпитаксиальных структур разнообразной геометрии и
состава.
Учитывая тенденции развития
современной электронной техники, можно достаточно надежно прогнозировать,
что в ближайшем будущем все большее значение будут приобретать
многослойные гомо- и гетеро-эпитаксиальные композиции с постоянно
уменьшающимися толщинами отдельных слоев, с резкими ^-«-переходами и
межфазными границами, с заданным (в ряде случаев достаточно сложным)
профилем легирования. Например, в современных ультрасверхбольших
интегральных схемах (УСБИС) размеры рабочих элементов давно уже вышли
на субмикронный уровень, а толщины активных слоев в современных
оптоэлек-тронных приборах (например, в лазерных структурах с квантовыми
ямами) уменьшились до нанометровых значений. В этих условиях основной
тенденцией в развитии технологии эпитаксиального наращивания должно
стать дальнейшее существенное снижение рабочих температур и повышение
стерильности осуществления ростового процесса.
Жидкофазовая эпитаксия сохранит,
по-видимому, в ближайшем будущем свои позиции в технологии создания
высокоэффективных дискретных и матричных оптоэлектронных приборов, а
также при получении хорошо проводящих сильно легированных
«контактных» слоев. Однако основную роль в создании современных приборных
структур будут играть процессы эпитаксиального наращивания при
кристаллизации из газовой фазы. Еще более широкое развитие должны
получить методы газофазовой эпитаксии при пониженном давлении в
рабочем
