Новые материалы
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 80 81 82 83 84 85 86... 734 735 736
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
2. МАТЕРИАЛЫ МИКРО- И
НАНОЭЛЕКТРОНИКИ |
|
|
|
|
|
то что ведущие мировые
производители приборов силовой электроники' и прежде всего, мощных
полевых транзисторов, тиристоров, биполярных транзисторов с
изолированным затвором (JGBT-приборов), сделали ставку на
использование в качестве базовой именно технологии прямого соединения
пластин. При этом речь идет о широком использовании в промышленном
производстве исходных кремниевых пластин диаметром 200 мм. Аналогичная
ситуация складывается и в производстве низковольтных и маломощных
высокочастотных УСБИС на основе структур кремния на диэлектрике.
Подтверждением этому является то, что по имеющимся прогнозам в 2000 г.
предполагалось поставить на мировой рынок около 2 млн штук структур
кремния на диэлектрике диаметром 200 мм (этой цифрой оценивалась реальная
потребность в таких структурах). При этом 80 % от этого количества
планировалось произвести методом прямого соединения пластин.
Очень большой интерес к
кремниевым структурам, создаваемым этим методом, проявляет и современная
сенсорная техника. Уже сегодня с использованием метода прямого соединения
пластин создаются прецизионные датчики давления, способные работать
до температуры 350 °С, микромеханические датчики и ряд других уникальных
приборов.
Технология прямого соединения
пластин открывает реальные возможности и для создания сложных
приборных структур с участием других полупроводниковых материалов, в том
числе на основе гетерокомпози-ций, получение которых эпитаксиальными
методами сталкивается с принципиальными затруднениями. Работы в этом
направлении пока не получили широкого развития. Тем не менее, имеются
сообщения об успешном использовании метода прямого соединения для
получения гетероструктур GaAs/Si и InP/Si с низкой плотностью дислокаций в
тонком слое полупроводникового соединения. Такие структуры были затем
использованы в качестве подложек для создания более сложных
гетерокомпозиций на основе соединений AniBv. Другим
примером удачного использования метода является создание монолитной
композиции, компонентами которой являлись гетероструктура
AlGaAs/InGaAs/GaAs, полученная методом молекулярно-пучковой эпитаксии, и
окисленная кремниевая пластина. Положительный результат был получен и при
соединении кремниевых пластин с пластинами из синтетического кварца,
а также при создании структур кремния на сапфире и алмазе. Даже эти первые
результаты являются весьма впечатляющими и свидетельствуют о
необходимости продолжения исследований в этом многообещающем
направлении. |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 80 81 82 83 84 85 86... 734 735 736
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
