Новые материалы
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 79 80 81 82 83 84 85... 734 735 736
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
шение энергетических затрат при
одновременном высоком качестве создаваемых приборных
композиций.
При создании структур кремния на
диэлектрике путем прямого соединения пластин рассмотренные выше
проблемы дефектообразования решаются существенно проще, чем в случае
многослойных композиций с ^-«-переходами для приборов силовой электроники.
Обусловлено это, как минимум, двумя причинами. Слой двуокиси кремния
обладает свойствами вязкого течения, поэтому релаксация упругих
напряжений в таких гетерокомпозициях, как правило, не приводит к
пластической деформации и генерации дислокаций в рабочем кремниевом
слое. Кроме того, за счет диффузии кислорода из соединяемых кремниевых
пластин в окисный слой в процессе высокотемпературного отжига, вблизи
границ раздела в пластинах возникают достаточно протяженные,
обедненные кислородом области, что исключает возможность образования
в них кислородсодержащих преципитатов, обусловленных распадом
пересыщенного твердого раствора кислорода.
Наличие на границах соединений (и
в прилегающих к ним областях) пластин тех или иных дефектов может
оказывать существенное влияние на электрофизические свойства многослойных
композиций и рабочие характеристики создаваемых на их основе дискретных
приборов и интегральных схем. С присутствием на границах соединения
пластин тонких окисных слоев связано появление дополнительных
потенциальных барьеров, существенно влияющих на характер прохождения тока
в создаваемых р-и-структурах. Возможные загрязнения поверхности
соединения пластин электрически активными примесями являются причиной
пояатения в многослойных композициях паразитных /7-и-переходов, а также ловушек для носителей
заряда. Дисперсные кислородсодержащие преципитаты в значительной мере
определяют генерационно-рекомбина-ционные характеристики высокоомных
рабочих слоев в силовых приборах и приводят, например, к возрастанию
величин остаточных токов в полевых транзисторах. С наличием в области
границ раздела дислокаций связано существенное увеличение токов
утечки в биполярных транзисторах. Такого рода примеры можно было бы
продолжить, но уже и так ясно, что успех в широкомасштабном внедрении
многослойных структур, создаваемых методом прямого соединения пластин, в
кремниевую микроэлектронику и силовую технику напрямую связан с их
качеством.
Показателем достигнутого к
настоящему времени высокого качества приборных структур, созданных методом
прямого соединения, является |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 79 80 81 82 83 84 85... 734 735 736
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
