Новые материалы
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 77 78 79 80 81 82 83... 734 735 736
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
очень тонкий слой естественного
окисла на поверхности пластин, а также кислород в силаксановых связях. С
помощью электронно-микроскопических исследований высокого разрешения
на границах раздела в такого рода композициях иногда наблюдали даже
образование очень тонкого (-2...3 нм) промежуточного окисного слоя состава
SiO В случае отсутствия этого слоя, на границе раздела присутствовали
дисперсные (10...20нм) кислородсодержащие преципитаты, обусловленные,
скорее всего, распадом пересыщенного твердого раствора кислорода в
процессе высокотемпературного отжига формируемой композиции. При
соединении поверхностей, обладающих гидрофобными свойствами,
обогащения границ раздела кислородом (а соответственно, и связанного
с этим явлением дефектообразования) удается избежать. Путем
оптимизации содержания кислорода в соединяемых пластинах, а также
режимов высокотемпературного отжига удается исключить концентрацию
кислорода на границе раздела и в случае соединения гидрофильных
поверхностей.
Следует специально остановиться
на использовании метода прямого соединения пластин для создания структур
кремния на диэлектрике, которые исключительно актуальны. Это продиктовано,
в первую очередь, такими преимуществами этих структур, как возможность
существенного снижения паразитных емкостей, обеспечение надежной
диэлектрической изоляции приборов в интегральной схеме, сравнительная
простота управления токовыми режимами, возможность снижения рабочих
напряжений и мощностей. Первоначально использование структур кремния
на диэлектрике было ориентировано на создание высокотемпературных,
ра-диационно-стойких ИС, обеспечивающих разработку электронной
аппаратуры для аэрокосмической, автомобильной, атомной и оборонной
промышленности. Однако наибольший интерес, особенно в последнее
десятилетие, вызывают перспективы применения этих структур для
создания низковольтных и маломощных, высокочастотных УСБИС, широко
используемых в портативной электронной аппаратуре (сотовые телефоны,
переносные миникомпьютеры и т. д.). Для создания таких УСБИС необходимы
структуры, в которых как тонкий рабочий слой монокристаллического
кремния, так и диэлектрический слой были бы практически бездефектны и
ненапряжены, имели одинаковую толщину по всей площади структуры, а граница
раздела между ними обладала низкой плотностью поверхностных состояний.
Такие традиционные методы создания структур кремния на диэлектрике, как
эпитаксиальное наращивание кремниевых слоев на сапфировые подложки или
форми- |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 77 78 79 80 81 82 83... 734 735 736
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
