Новые материалы
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 76 77 78 79 80 81 82... 734 735 736
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
г 2. МАТЕРИАЛЫ МИКРО-
И НАНОЭЛЕКТРОНИКИ |
|
|
|
|
|
При создании структур типа
п-п+, р-р+, п-п+-р+
приходится использовать пластины, отличающиеся типом вводимых
легирующих примесей и уровнем легирования. Это является причиной различия
величин периодов кристаллической решетки соединяемых пластин и, как
следствие, причиной возникновения напряжений несоответствия вблизи границы
раздела. Если различие в уровнях легирования достаточно велико, а отжиг
соединяемых пластин производится при достаточно высокой температуре,
то возникающие напряжения несоответствия могут частично релаксировать с
образованием вблизи границы соединения дислокаций несоответствия. Для
устранения несоответствия периодов кристаллической решетки в данном
случае в качестве сильнолегированных пластин целесообразно использовать
сложнолегированные пластины. При этом в исходный монокристалл, в процессе
его выращивания, наряду с основной легирующей примесью, в
соответствующем количестве вводится вторая примесь, вызывающая
противоположное по знаку изменение периода его кристаллической решетки. В
качестве компенсирующих изменение периода решетки легирующих добавок, как
правило, используют изовалентные примеси, обладающие достаточно
высокой растворимостью в соответствующем полупроводниковом материале
и практически не проявляющие в нем электрической активности. Для
кремния такими примесями являются элементы IV группы Периодической
системы. Например, при создании изопериодных композиций п-п+
и р-р+, легированных соответственно фосфором и
бором, используется дополнительное легирование пластин германием. К
уменьшению вероятности релаксации напряжений несоответствия с
образованием дислокаций несоответствия приводит и снижение
температуры отжига на втором этапе формирования монолитной композиции до
600...700°С.
В случае, если отжиг соединенных
пластин проводится при достаточно высоких температурах, когда
пластичность соответствующего полупроводникового материала достаточно
высока (для кремния это температуры выше 800 °С), заметную роль в
генерации дислокаций в создаваемой композиции могут играть
термические напряжения, обусловленные наличием перепадов температур по
поверхности формируемой композиции. В связи с этим необходимо
обеспечивать условия отжига, близкие к изотермическим.
К дополнительному
дефектообразованию в области границы соединения поверхностей пластин,
обладающих гидрофильными свойствами, может приводить обогащение этой
области кислородом. Источником избыточного кислорода в данном случае
является «запечатываемый» |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 76 77 78 79 80 81 82... 734 735 736
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
