ние неполяризованного излучения
позволяет исключить влияние на получаемые результаты упругих напряжений,
наличие которых в объеме соединенных пластин достаточно вероятно. Среди
разрушающих методов контроля наибольшее распространение получил метод
избирательного травления поперечных сечений составной структуры в
водном растворе КОН, с последующим наблюдением картин травления в
оптическом микроскопе достаточно высокого разрешения. При этом
удается надежно фиксировать пузыри размером до 0,1...0,3 мкм.
Использование исходных пластин,
обладающих низкими величинами общей и локальной неплоскостности,
проведение подготовительных операций в особо чистых условиях с
использованием чистых технологических газов и химических реактивов, а
также оптимизация температурных режимов на стадии отжига соединенных при
комнатной температуре пластин — все это в совокупности обеспечивает
создание высококачественных многослойных приборных композиций, не
содержащих пузырей.
Структурное совершенство
поверхности раздела соединяемых пластин и прилежащих к ней областей играет
очень важную роль, особенно при создании многослойных композиций для
силовой электроники. При прямом соединении пластин одинаковой
кристаллографической ориентации с разворотом одной поверхности
относительно другой в плоскости контакта, не превышающим 0,5°,
формируется композиция, которая практически является аналогом
многослойной структуры, создаваемой методом эпитаксиального
наращивания. Увеличение угла разворота до 45 приводит к формированию на
границе соединения супертонкого нарушенного слоя. При соединении
поверхности ориентации (1П) с поверхностью ориентации (100) на границе
раздела возможно образование очень тонкого (2...3 нм) аморфного слоя.
Таким образом, получение структурно совершенной границы раздела
требует строгого контроля взаимной ориентации соединяемых
поверхностей.
Принципиально важно исключить
возможность генерации дислокаций в области границы раздела соединяемых
пластин. Как мы уже отмечали выше, одним из основных источников дислокаций
в формируемой композиции является релаксация в процессе
высокотемпературного отжига упругих напряжений, обусловленных нарушениями
общей и локальной плоскостности исходных пластин. В данном случае гарантом
получения структурно совершенных композиций является использование пластин
с высокими геометрическими показателями их качества. При современном
уровне развития технологии изготовления кремниевых пластин выполнение
этого условия затруднений не вызывает.
