чить возможную аморфизацию в
приповерхностной области пластины. Весьма перспективно использование в
качестве среды для формирования элементов интегральной схемы тонких
(микронных и субмикронных) эпитаксиальных слоев, наращиваемых на
сильно легированные подложки. При оптимизации условий эпитаксиального
наращивания такие слои обладают очень высоким структурным совершенством.
Сильно же легированная подложка выполняет в данном случае роль эффективно
геттерирующей среды.
В заключение следует отметить,
что достаточно серьезной и пока до конца нерешенной проблемой в технологии
геттерирования является обеспечение высокой стабильности используемого
геттера в условиях многократных высокотемпературных воздействий. Другая
проблема связана с тем, что современные приборы представляют собой
весьма сложные и миниатюрные композиции, содержащие слои разного типа
проводимости с разным уровнем легирования, напряженные слои,
гетерог-раницы типа Si/Si02, имплантированные слои и т. д. В
результате сам прибор становится достаточно эффективной геттерирующей
средой. В этих условиях создание геттера, который бы позволил исключить
попадание загрязняющей примеси в активную область приборной
композиции, превращается в далеко непростую задачу.
Если исследования по
геттерированию загрязняющих примесей из активных областей кремниевых
приборных структур успешно ведутся уже на протяжении многих лет, то для
других полупроводниковых материалов (за редким исключением) эти
работы находятся практически на начальном этапе и нуждаются в серьезной
интенсификации.
«Прямое» соединение
монокристаллических пластин -новый перспективный метод формирования
приборных структур
Основу большинства современных
интегральных схем и дискретных приборов составляют многослойные
полупроводниковые композиции (р-п, гомо- и гетеропереходные
структуры, гетероструктуры типа полупроводник—диэлектрики т. д.),
формируемые в процессах диффузионного легирования или ионной
имплантации, а также эпитаксиального наращивания и термического окисления.
Далеко не всегда используемые технологические процессы обеспечивают
получение высококачественных приборных композиций, отвечающих требованиям
современных производств, гарантирующих не только достижение
необходимых рабочих ха-
