Новые материалы
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 70 71 72 73 74 75 76... 734 735 736
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
2. МАТЕРИАЛЫ МИКРО- И
НАНОЭЛЕКТРОНИКИ |
|
|
|
|
|
процесса распада твердого
раствора кислорода. Создавая контролируемый профиль распределения
вакансий по толщине термообрабатывае-мой пластины, легко можно
контролировать эффективность распада пересыщенного твердого раствора
кислорода со всеми вытекающими отсюда практическими последствиями. В
частности, если концентрация вакансий в приповерхностной области пластины
будет ниже критической величины (~1012см~3), то
распад твердого раствора кислорода в этой области будет практически
подавлен. При этом концентрация вакансий в объеме пластины должна
существенно превышать критический уровень, что обеспечит интенсивный
распад пересыщенного твердого раствора кислорода в этой области с
образованием необходимого количества эффективно геттерирующих дефектных
центров. Необходимый профиль распределения вакансий легко реализуется
в процессе быстрого термического отжига пластины при температурах,
превышающих 1175 °С. При последующей преципитатообразующей
двухступенчатой термообработке (800°С/4ч+ 1000 °С/16 ч) в объеме
пластины образуется большое количество кислородсодержащих
преципитатов, в то время как приповерхностная область пластины толщиной
~80 мкм остается практически бездефектной. Такой процесс формирования
эффективного внутреннего геттера получил название MDZ-процесса
(создание «магической» бездефектной зоны). Как показано в [16], этот
процесс обладает целым рядом принципиальных преимуществ: обеспечивается
прецизионный контроль объемной плотности кислородсодержащих
преципитатов; обеспечивается строго контролируемая и воспроизводимая
толщина бездефектной приповерхностной области на уровне -80 мкм; результат
слабо зависит от возможных колебаний содержания кислорода в пластине;
результат не зависит от тепловой предыстории исходного кристалла;
возможность использования такого рода пластин в различных схемах
последующего изготовления приборных композиций. Кроме того, процесс
обладает и неоспоримыми технико-экономическими
преимуществами.
В связи с переходом
микроэлектроники на субмикронный, а в ближайшем будущем и на
нанометровый уровень изготовления приборных структур интенсивно
исследуются и другие возможности создания эффективно геттерирующих
сред в непосредственной близости от приборной композиции (на
расстоянии единиц микрометров). Одна из них связана с созданием
имплантированных слоев с рабочей стороны пластины [12]. При этом для
имплантации используются ионы легких элементов (водород, гелий, бор,
углерод, кремний и т. д.), чтобы исклю- |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 70 71 72 73 74 75 76... 734 735 736
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
|
|
|
