46. Евсеев Ю.А., Дерменжи П.Г. Силовые
полупроводниковые приборы. — М.: Энер-гоиздат, 1981. — 472
с.
47. Агаларзаде П.С, Петрин А.И., Изитдинов СО.
Основы конструирования и обработки поверхности р-л-перехода. —
М.: Советское радио, 1978. — 233 с.
48. Зи СМ. Физика полупроводниковых
приборов. Т. 1. - М.: МИР, 1983. - 455 с.
49. Batdorf R.L., Chynweth A.J., Dacey G.C,
Fay P.W. //.J. Appl. Phys. - 1960. - V. 31. -P.
273-286.
50. Вул Б.М., Шотов A.IJ. О краевом пробое
/ьл-переходов в германии. ЖТФ, Изд-во АН СССР, 1957. - № 10. - 2189
с.
51. Вул Б.М., Шотов А.П. Об ударной
ионизации в кремниевых р-л-переходах. В кн.: Физика твердого тела. Ч. 1. -
Изд-во АН СССР, 1959. - 452 с.
52. Rogowski R.W. Die electrishe
Testigkeit am range des Rcattenkondensators. Archiv fur electrotechnik,
1923. - Bd. 12. - 427 p.
53. Будак Б.М., Самаринский A.A., Тихонов A.H.
Сборник задач по математической физике. - М.: Наука, 1980. - 688
с.
54. Shottky W.J. Naturwissenshaften, 1938.
- V. 26. - 843 p.
55. Родерик Э.Х. Контакты
металл—полупроводник. Пер. с англ. // Радио и связь, 1982. - 208
с.
56. Кондратенко Т.Я. Основы теории
объемных гетеропереходов как элементов функциональной электроники.
Доклад на 1-ой научной конференции по функциональной электронике. -
Ленинград: Изд-во АН СССР, 1990. - С. 18.
57. Ishikawa Akira. Transistor on
spherical surface, Bell Seniconductor Inc., Allen, Texas. October, 1997.
www.ballsemi.com.
58. Тамм И.Е.
Основы теории электричества. 9-е изд. — М.: Наука, 1976. - 616
с.
59. Бессонов А.А. Теоретические основы
электротехники. — М.: Высшая школа, 1973. — 500 с.
60. Калашников
СГ. Электричество. Изд. 5-е. изд. — М.: Наука, 1989. - 576
с.
61. Антонов П.И., Затуловский Л.М., Костычев
А.С и др. Получение профилированных монокристаллов и изделий
способом Степанова. — Ленинград: Наука, 1978. — 176 с.
62. Чащинов Ю.М. Формы роста арсенида
галлия в иодидной и хлоридной системах: В сб.: Рост и легирование
полупроводниковых кристаллов и пленок. — Новосибирск: Наука, 1977. -
С. 106 - 112.