16. Falster R. // Proceedings of the 9
autumn meating on «Gettering and Defect Engineering in Semicond.
Technology*, Catania, Italy. — 2001 (в печати).
17. Mitani К, Gu,sele U.M. //J. Electronic
Materials. - 1992. - V. 21. - P. 639-676.
18. Bengtson S. II Ibid. - 1992. - P.
841-861.
19. Milvidskii M.G., Enisherlova K.L., Reznik
V.Ya. et ai. //Advanced Performance Materials
- 1997. - V. 4. - P.
165-181.
20. Collinge J.P.
II MRS Bulletin. - 1998. - V.
23. № 12. - P. 16-19.
21. Bumberg D., Grundmann M., Ledentson NN. //
MRS Bulletin. - 1998. - V. 23. -№ 2. - P. 31-34.
22. Nozik A.J.,
Micic O.J. // Ibid. - 1998. - P. 24-30.
23. Dameron C.T., Reese R.N., Mehra R.K.,
Kortan A.R. et al. //Nature. - 1998. -V. 338. - P.
596-600.
24. Алферов Ж.И.
// ФТП. - 1998. - Т. 32. - С. 3-18.
25. Драгунов В.П., Неизвестный И.Г., Гридчин
В.А. Основы наноэлектроники.Новоси-бирск, 2000. - 332
с.
26. Imai М., Nakahara S., Inoue К, et al.
// Proc. 3rd International Symposium on Advanced Science and
Technology of Silicon Materials, Havaii, USA. — 2000. -P.
118-123.
27. Konig U. II
in: Solid State Phenomena, V. 69-70 // Eds. Grimmeis H.G.,
Kittler M. and Richter H., Scitec Publications Ltd, Switzerland. - 1999. -
P. 121-130.
28. Акчурин P.X.,
Мармалюк A.A. // Материаловедение. - 2001. - № 9. - С.
30-38.
29. Kimeding L.C. //in: Solid State
Phenomena, V. 69-70 //Eds. Grimmeis H.G., Kittler M., Richter H.,
Scitec Publications Ltd, Switzerland. - 1999. - P.
131-140.
30. Coffa S.,
Franzo G., Priolo F. // MRS Bulletin. - 1998. -V. 23. - № 2. - P.
25-32.
31. Териков Е.И., Гусев О.Б., Коньков О.И.
и др. Нанофотоника. Материалы совещания. Н. Новгород: ИФМ, 2002.
- С. 138-142.
32. Штейнман Э.А.
// Ibid. - 2002. - С. 55-58.
33. Suemasu Т., Negishi Y, Takakura К.
//J. Appl. Phys. - 2000. - V. 39. - P. 1013— 1015.
34. Gelloz В.,
Koshida N. // J. Appl. Phys. - 2000. - V. 88. - P.
4319-4322.
35. Compano R.
Trends in nanoelectronics//Nanotechnology. - 2001. - № 12. - P.
85-86.
36. Green M.L ., Gusev E.P., Degraeve R.
et al. //J. Appl. Phys. - 2001. - V. 90. -№ 5. - P.
2057-2121.
37. Красников Г.Я., Зайцев H.A., Матюшкин И.В.
// Микроэлектроника. — 2001. — Т. 30. - № 5. - С.
369-376.
38. Hiroshi Nakatsuji, Yasuhisa Omura. //
Jap. J. Appl. Phys. - 2000. - V. 39. - № 2A -P.
424-431.
39. Bondarenko
G.G., Andreev V.V., Loskutov S.A. et al. //Surface and Interface
Analysis. —
1999. - V. 28. - P.
142-145.
40. Arnold D., Cartier E., DiMaria D.J //
Phys. Rev. B. - 1994. - V. 49. - № 15. -P.
10278-10297.
41. DiMaria D.J, Buchanan D.A., Stathis J.H.
et al. //J. Appl. Phys. - 1995. - V. 77. -№ 5. - P.
2032-2040.
42. Бондаренко Г.Г., Столяров A.A.
//Физика и химия обработки материалов. — 1997.
- № 3. - С.22-26.
43. Андреев В.В., Барышев В.Г., Бондаренко
Г.Г. и др. // Микроэлектроника. — 1997. — № 6. - С.
640-646.
44. Гольдман Е.И., Гуляев Ю.В., Ждан А.Г.
и др. // Микроэлектроника. — 2001. — Т. 30. - № 5. - С.
364-367.
45. Грехов И.В. //Изв. вузов. Материалы
электронной техники. — М.: -МИСИС",
2000. - № 3. - С. 9-14.
