К главе 2
1. Мильвидский М.Г. //Изв. вузов. Сер.
Материалы электронной техники. — 2000. — № 1. - С. 4-14.
2. Prostomolotov A.I., Verezub N.A.
//Proceedings of 4th International Conference «Single
crystals growth and heat mass transfer*, Obninsk, Russia, 2001. - V. 1. -
P. 38-57.
3. Gelfgat Yu.M.,
Abricka M., Krumins J. //Ibid. - 2001. - P. 68-79.
4. Мильвидский М.Г. // Изв. вузов. Сер.
Материалы электронной техники. — 1998. — № 3. С. 4-13.
5. Voronkov V.V //J. Crystal Growth. -
1982. - V. 59. - P. 625-636.
6. Воронков В.В., Мильвидский М.Г. //
Кристаллография. — 1988. - Т. 33. - С. 471- 477.
7. Voronkov V.V., Falster R. //J. Crystal
Growth. - 1999. - V. 204. - P. 462- 474.
8. Бублик В.Т., Мильвидский М.Г.
//Материаловедение. — 1998. — № 5. — С. 16—29.
9. Марков А.В., Мильвидский М.Г, Освенский
В.Б. // Рост кристаллов: Сб.. — М.: Наука, 1990. - Т. 18. - С.
214-232.
10. Hagino S., Oisi Н., Abe К., Hayashi К.
// Proc. 3rd International Symposium on Advanced Science
and Technology of Silicon Materials, Havaii, USA. - 2000. — P.
.108-117.
11. Kolbesen
B.O., Baeyens M., Doll O. //Ibid. - 2000 - P.
365-373.
12. Istratov A.A., Heesmaer H., Weber E.R.
// MRS Bulletin. - 2000. - V. 25. - № 6. -P. 33-37.
13. Milvidsky M.G., Voronkov V.V, Enisherlova
K.L., Reznick V.Ya. // Solid State Phenomena. - 1997. - V. 57-58. - P.
109-114.
14. Bhatti A.R., Falster R., Booker G.R.
//Solid State Phenomena. -1991. - V. 19-20. -P.
54-56.
15. Falster R.,
Voronkov V.V, Quast F. //Phys. Stat. Sol. (b). -2000. -V. 222. - P.
219-223.
