Новые материалы
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 69 70 71 72 73 74 75... 734 735 736
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
ная плотность геттерирующих
центров должна быть не ниже 1 • 109 см-3. При
формировании внутреннего геттера используют многоступенчатую (трех- или
четырехступенчатую) термообработку пластин в чистейших условиях. Типичная
температурно-временная схема термообработки в случае четырехступенчатого
процесса выглядит следующим образом: 1000 °С/15 мин + 650 °С/16 ч + 800
°С/4 ч + 1000 °С/4 ч. На первой высокотемпературной стадии происходит
образование обедненного по кислороду (за счет диффузии на
поверхность) приповерхностного слоя пластины и растворение в
кристаллической решетке мелких «ростовых» кислородсодержащих преципитатов.
В процессе последующей термообработки при 650 °С в гомогенизированной
кристаллической матрице объема пластины происходит гомогенное
зародышеобразование будущих оксидных преципитатов. При дальнейшей
термообработке при 800 °С происходит рост образовавшихся ранее зародышей,
сопровождающийся процессом коалесценции. Выжившие в процессе конкурентного
роста наиболее «крупные» преципитаты увеличивают свои размеры до
необходимых кондиций на заключительном этапе термообработки при 1000
°С. Все эти процессы протекают в объеме пластины. Обедненная по кислороду
приповерхностная область пластины (где пересыщение отсутствует)
остается при этом практически бездефектной и используется в
дальнейшем для формирования в ней элементов интегральной схемы.
Толщина этой приповерхностной области, в зависимости от конкретных режимов
термообработки (в первую очередь используемой атмосферы), может составлять
30...50 мкм.
Описанная схема формирования
внутреннего геттера основана на создании в приповерхностной области
пластины слоя, обедненного кислородом до такой степени, что
соответствующий твердый раствор перестает быть пересыщенным и
обусловленное распадом дефектообразование в нем не происходит. При таком
подходе возможность создания эффективно геттерирующей дефектной среды
в объеме пластины в значительной степени зависит от тепловой
предыстории исходного кристалла, содержания и характера распределения в
нем кислорода, что существенно влияет на воспроизводимость получаемых
результатов. Существует и другая возможность создания эффективного
внутреннего геттера в пластинах, основанная на отмеченной выше
существенной зависимости интенсивности распада пересыщенного твердого
раствора кислорода от концентрации присутствующих в кристаллической
решетке вакансий.
Как показано в работе [15], при
концентрациях вакансий в кристалле, превышающих уровень
~1012 см-3, наблюдается резкая
активация |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 69 70 71 72 73 74 75... 734 735 736
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
|
|
|
