Новые материалы






Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу Новые материалы

Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .



Страницы: 1 2 3... 68 69 70 71 72 73 74... 734 735 736
 

2. МАТЕРИАЛЫ МИКРО- И НАНОЭЛЕКТРОНИКИ
В качестве внутреннего геттера стали использовать дефектную среду, формируемую в объеме пластины в процессе распада пересыщенного твердого раствора кислорода при ее многоступенчатой термообработке. Процесс внутреннего геттерирования был успешно опробован на плас­тинах диаметром 100 мм и в настоящее время широко используется при работе с пластинами еще больших диаметров.
В основе процесса формирования внутреннего геттера в пластинах кремния, вырезанных из выращиваемых по методу Чохральского моно­кристаллов, лежит хорошо контролируемый процесс распада пересыщен­ного твердого раствора кислорода. Исследованию закономерностей рас­пада пересыщенного твердого раствора кислорода в кремнии посвяще­но большое количество работ [7, 13]. Как отмечалось, при распаде в пластине образуются кислородсодержащие преципитаты, инжектирующие в кристаллическую матрицу избыточные межузельные атомы кремния. В результате в пластине формируется достаточно сложная дефектная среда, характерные особенности которой определяются содержанием и характером распределения в исходном кристалле кислорода, условиями выращивания кристалла (скорости охлаждения в определенных интерва­лах температур, тип и концентрация собственных точечных дефектов), а также режимами термообработки самих пластин.
По нашим данным, процесс дефектообразования, сопровождающий распад, протекает по следующей схеме. На начальном этапе в кристал­лической решетке формируются дисперсные преципитаты оксида крем­ния со сферическим полем деформации, затем образуются «мелкие» пластинчатые преципитаты с четкой кристаллографической огранкой. В дальнейшем в непосредственной близости от преципитатов начинается образование различного рода преципитатно-дислокационных скоплений и дефектов упаковки внедренного типа, в формировании которых ак­тивную роль играют инжектируемые преципитатами в матрицу кристал­ла межузельные атомы кремния. Конечными продуктами распада явля­ются достаточно крупные оксидные преципитаты, полные дислокацион­ные петли и дефекты упаковки внедренного типа. Все перечисленные типы дефектов были обнаружены при электронно-микроскопических (на просвет) исследованиях термообработанных пластин.
Как показали наши исследования, а также исследования, выполнен­ные в [14], наибольшей эффективностью геттерирования быстродиффун-дирующих металлических примесей обладает дефектная среда, в кото-рои превалируют преципитатно-дислокационные скопления и дефекты упаковки. Для обеспечения необходимого уровня геттерирования объем-
71
rss
Карта
 






Страницы: 1 2 3... 68 69 70 71 72 73 74... 734 735 736

Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу


Сварка на контактных машинах
Краткий справочник технолога-термиста
Спутник термиста
Новые материалы
Твердые сплавы
Цементация стали
Зварювальні матеріали

rss
Карта