Новые материалы
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 67 68 69 70 71 72 73... 734 735 736
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Процессы геттерирования начали
широко использоваться в технологии создания интегральных схем уже при
работе с пластинами диаметром 75 мм. Пока толщина пластины оставалась
сравнительно небольшой, наиболее удачной областью для формирования
геттерирующей среды являлась обратная сторона пластины. В качестве
геттерирующих сред использовались: нарушенные слои, создаваемые путем
прецизионной механической обработки; имплантированные слои; слои,
создаваемые диффузионным введением до высоких концентраций тех или иных
легирующих примесей; пленки поликристаллического кремния и
различных силикатов, осаждаемые на нерабочей поверхности
пластины.
Одним из наиболее эффективных
оказался метод создания нарушенных слоев путем механической обработки
с последующим отжигом пластин при сравнительно невысоких
температурах. В этом методе в результате шлифовки свободным абразивом
в приповерхностной области пластины формируются регулярные микротрещины.
Устья этих трещин являются областями концентрации упругих напряжений. В
процессе последующего отжига пластин в атмосфере аргона при 750 °С в
устьях трещин формируются дислокационные скопления, являющиеся
результатом релаксации упругих напряжений и состоящие в основном из
скользящих 60-градусных дислокаций. Одновременно в процессе отжига в
местах генерации дислокаций происходит достаточно интенсивный локальный
распад пересыщенного твердого раствора кислорода (содержание
кислорода в образцах составляло (7...9) • 1017 см"3)
с образованием преципитатов двуокиси кремния и эмиссией ими
межузельных атомов кремния в кристаллическую матрицу. Сток
инжектируемых растущими преципитатами межузельных атомов на
дислокации приводит к переползанию последних и формированию в
приповерхностной области пластины характерных малоподвижных дислокационных
сеток, являющихся эффективным геттером для загрязняющих быстро
диффундирующих металлических примесей.
По мере увеличения диаметра
пластин возрастает и их толщина, тем самым увеличивается диффузионный
путь, который должны преодолеть атомы загрязняющих примесей, перемещаясь
из активной области приборной структуры к геттеру. Соответственно,
процесс геттерирования с размещением геттера на обратной стороне пластины
становится все менее эффективным и требует все возрастающих энергетических
и временных затрат. Необходимо найти возможность формирования геттера
внутри пластины в непосредственной близости от области, где
расположена сама приборная композиция. И такая возможность была
найдена. |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 67 68 69 70 71 72 73... 734 735 736
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
|
|
|
