соответствующих технологических
операций в автоматическом цикле; разработке экологически безопасных и
эффективно очищающих сред, а также высокочувствительных методов контроля
качества поверхности, в первую очередь, уровня загрязнений металлическими
примесями и посторонними частицами субмикронных размеров; повышению
технико-экономических показателей. При решении этих задач широко
используются принципы международной кооперации с использованием
возможностей передовых специализированных в соответствующих
направлениях фирм и предприятий.
К сожалению, наличие
высококачественных и очень чистых пластин не является еще полной гарантией
создания высококачественных интегральных схем и дискретных приборов.
Дело заключается в том, что в процессе формирования приборной композиции
пластина подвергается достаточно длительным высокотемпературным
воздействиям (операции окисления, диффузии легирующих примесей,
термический отжиг и т. д.), и, несмотря на принимаемые беспрецедентные
меры по обеспечению стерильности проводимых процессов (особо чистые
рабочие помещения, микроклимат, спецодежда для рабочего персонала и т.
д.), вероятность случайных дополнительных загрязнений нежелательными
быстродиффун-дирующими примесями при выполнении соответствующих операций
остается достаточно высокой. Для исключения попадания загрязняющих
примесей в активную область приборной структуры широко используют процессы
их геттерирования [12].
Смысл процесса геттерирования
заключается в удалении загрязняющей примеси из активной области
приборной композиции путем ее локализации в определенной фиксированной
области пластины, где она не может повлиять на характеристики создаваемых
приборов. В основе процессов геттерирования лежат фундаментальные
физические процессы, связанные либо с контролируемым формированием
центров гетерогенного зарождения преципитатов при распаде
пересыщенного твердого раствора загрязняющей примеси, либо с формированием
среды, обладающей повышенной (по сравнению с рабочей областью
приборной структуры) растворимостью загрязняющей
примеси.
В первом случае уровень
загрязнений пластины должен быть достаточным для того, чтобы примесь
при той или иной разумной температуре образовывала пересыщенный
твердый раствор. Тогда в процессе охлаждения загрязненной пластины этот
пересыщенный раствор быстро распадается с образованием преципитатов в
области, где сформированы центры для их гетерогенного зарождения. В
результате между рабочей
