Новые материалы
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 640 641 642 643 644 645 646... 734 735 736
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
9. ПЕРСПЕКТИВНЫЕ ПОЛИМЕРНЫЕ МАТЕРИАЛЫ СО СПЕЦИАЛЬНЫМИ
СВОЙСТВАМИ |
|
|
|
|
|
количестве 30 (масс.ч) на 100
(масс.ч) ненасыщенной полиамидокислоты, разрешающая способность
светочувствительного слоя, характеризуемая минимально воспроизводимой
линией (промежутком, достигается шириной 25 мкм (табл. 9.12, композиция №
23, в дальнейшем называемая «состав 3»). При этом сохраняются хорошие
технологические и эксплуатационные характеристики защитных покрытий, что
позволяет рекомендовать данную композицию для получения термостойких
защитных селективных покрытий прецизионных печатных плат и гибридных
интегральных схем, где наиболее важным показателем является
разрешающая способность используемого фоторезиста.
Состав 3 обладает наилучшей
разрешающей способностью среди всех исследованных нами композиций. Он
имеет достаточно высокую термостойкость и гибкость защитного рельефа,
что делает его наиболее пригодным для вышеуказанных целей.
Повышенная термостойкость
фоторезистов является необходимым условием для получения и длительной
эксплуатации в составе изделий спецтехники современных микросхем и других
изделий микроэлектроники и печатного монтажа. Попытка создания
подобного материала является главной целью настоящей работы. Для
сравнительной оценки термостойкости был использован метод
динамического термогравиметрического анализа образцов покрытий,
имеющих оптимальные технологические и эксплуатационные характеристики
(состав 1, состав 2, состав 3), и пленок соответствующих ненасыщенных
полиамидокислот в воздушной среде.
Таблица 9.12. Характеристики сухих пленочных
фоторезистов, содержащих ненасыщенную полиамидокислоту на основе
3,3', 4,4'-тетрааминодифенилок-сида и диангидрида 3,3',
4,4'-дифенилоксидтетракарбоновой кислоты с молекулярной массой
8000 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Оптимальное время экспонирования,
мин |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Время проявления
светочувствительного |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
слоя (/р_ра = 25 °С),
мин |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
min 0 изгиба защитного
покрытия |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
при - испытании на гибкость,
мм |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Адгезия к медной подложке,
баллы |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Время разрушения покрытия
при |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
погружении в припой ПОС-61 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Разрешающая способность,
мкм |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
| |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 640 641 642 643 644 645 646... 734 735 736
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
