Новые материалы

Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу Новые материалы

Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .

Страницы: 1 2 3... 639 640 641 642 643 644 645... 734 735 736

	 НОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ Проведенные исследования показали, что оптимальное сочетание тех­нологических и эксплуатационных характеристик наблюдается у компо­зиции №11 (см. табл. 9.11), именуемой далее «состав 2». Ее высокие показатели дают возможность использовать этот сухой пленочный фо­торезист для получения термостойких защитных рельефов при изготов­лении микросхем и плат печатного монтажа. Как отмечено выше, роль структурирующего агента в защитном по­крытии выполняет полиимид. В связи с этим очевидно, что изменение строения исходной полиамидокислоты скажется на свойствах конечного продукта. В этой связи представилось интересным в качестве основы для метакрилирования использовать продукт из 3,3', 4,4'-тетрааминодифени-локсида и диангидрида 3,3', 4,4'-дифенилоксидтетракарбоновой кислоты: В отличие от исследованных ранее полиамидокислот, в данном слу­чае ненасыщенные группы являются не только концевыми, но и содер­жатся в звене полимера. Испытания показали, что высокая степень структурирования полиме­ра способствует повышению разрешающей способности фоторезистов. В этом случае, при использовании полимера с молекулярной массой 8000 в сочетании с бинарной смесью мономеров ТТМ-3 : МЭО, взятой в 642 rss Карта

Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу