Новые материалы
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 637 638 639 640 641 642 643... 734 735 736
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Таблица 9.10. Характеристики сухих пленочных
фоторезистов, содержащих ненасыщенную полиамидокислоту на основе
диангидрида 3,3', 4,4'-ди-фенилоксидтетракарбоновой кислоты и
4,4'-диаминодифенилоксида с молекулярной массой
10600 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Оптимальное время экспонирования,
мин |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Время проявления
светочувствительного |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
слоя (гр_ра
= 25 °С), мин |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
min 0 изгиба защитного
покрытия |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
при испытании на гибкость,
мм |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Адгезия к медной подложке,
баллы |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Время разрушения покрытия
при |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
погружении в припой ПОС-61 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Разрешающая способность,
мкм |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
| |
|
|
|
|
|
Проведенные исследования
показали, что снижение содержания ненасыщенных мономеров приводит к
ухудшению основных показателей фоторезистов, а увеличение их количества
сверх оптимального не даст возможности достичь той термостойкости защитных
покрытий, которая возможна в данной системе.
Из табл. 9.10 следует, что состав
8, именуемый далее «состав 1», обладает оптимальным сочетанием
технологических и эксплуатационных характеристик. Высокие значения
гибкости (минимальный диаметр изгиба — 3 мм) и термостойкости
защитного покрытия (время разрушения при погружении в припой ПОС-61 при /
= 400°С — 35 с) позволяют рекомендовать данный состав сухого пленочного
фоторезиста Для получения термостойких защитных селективных покрытий
печатных кабелей и гибких печатных плат.
При исследовании свойств сухих
пленочных фоторезистов, содержащих ненасыщенные полиамидокислоты на основе
диангидрида 3,3', 4,4'-тет-ракарбоновой кислоты
4,4'-дифенокси-(2,2-дифенил)-пропана и 4,4'-диа-минодифенилоксида,
отмечено, что в этом случае наилучшие результаты достигаются при
использовании ненасыщенной полиамидокислоты с молекулярной массой 12500.
Ее увеличение до 17100 или уменьшении до 5500 приводит к ухудшению
эксплуатационных характеристик защитных покрытий (табл.
9.11).
При этом установлено, что
снижение содержания ненасыщенных мономеров в составе
фотополимеризующихся композиций вызывает сниже- |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 637 638 639 640 641 642 643... 734 735 736
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
