У бензофенона высокий квантовый
выход, он надежен и прост в использовании, имеет сравнительно невысокую
стоимость. Однако использование композиций на основе бензофенона
ограничено обязательным применением кварцевых фотошаблонов, так как
максимум чувствительности слоев находится в области 254 нм. Он
применяется в сочетании с сенсибилизатором —
4,4'-бис-(диметиламино-)бензофеноном (кетоном Михлера), имеющим максимум
поглощения в области 355 нм. Фотоинициирующая система на основе этих двух
компонентов имеет сравнительно высокую эффективность за счет
синергизма.
Максимум поглощения
фотоинициирующей системы почти точно согласуется с линией эмиссии
ртути на 365 нм. Она, обладая высокой фотохимической активностью, не
вызывает полимеризации композиции при длительном хранении в темноте, а
также не приводит к коррозии металлических подложек, контактирующих с
фотополимеризующейся композицией, не ухудшает диэлектрических показателей
получаемых покрытий.
Для оценки пригодности
использования данной фотоинициирующей системы были сняты спектры
УФ-поглощения синтезированных ненасыщенных полиамидокислот, из
которых следует, что только в случае полимера на основе диангидридов 3,3',
4,4'-тетракарбоновой кислоты 4,4'-дифенокси-(2,2-дифенил)-пропана
обеспечивается почти полная прозрачность полимера в области 355
нм.
Для других композиций, полученных
нами, необходимо вести поиск фотоинициатора или фотоинициирующей системы,
действующей либо в области жесткого ультрафиолета (200...250 нм), что
крайне ограничит область применения фоторезиста, либо в области
видимого света (400...500 нм).
Хотя ненасыщенные
полиамидокислоты способны под действием УФ-излучения в присутствии
фотоинициаторов полимеризоваться с образованием нерастворимых
продуктов, они оказались непригодными для создания сухих пленочных
фоторезистов.
Светочувствительные слои,
состоящие только из ненасыщенной полиамидокислоты и фотоинициирующей
системы, не обладают липкостью при температуре, принятой для нанесения
сухих пленочных фоторезистов (80...120 °С). Кроме того, эти слои
обладают неудовлетворительной адгезией к полиэтилентерефталатной основе и
защитной полиэтиленовой пленке, что не позволяет создать сухой пленочный
фоторезист, пригодный для промышленного использования. Поэтому для
улучшения физико-механических характеристик светочувствительных слоев
на основе по-
