локаций, сферы их влияния
перекрываются, и пересыщение по СТД в относительно широком
высокотемпературном интервале практически полностью снимается. В
выращиваемых методом Чохральского из-под слоя флюса монокристаллах GaAs
это обычно наблюдается при плотностях дислокаций ЛГ > (0,8... 1) •
105 см"2. В таких кристаллах отсутствуют ростовые
микродефекты, обусловленные высокотемпературным распадом пересыщенных по
СТД твердых растворов, и они, как правило, обладают высокой
однородностью распределения электрофизических свойств и повышенной
термостабильностью.
Неоднородное распределение
дислокаций в объеме выращиваемого монокристалла вызывает появление разницы
концентраций присутствующих СТД между областями с различной
плотностью стоков. Если при этом подвижность СТД достаточно высока, то
непосредственно в процессе выращивания происходит перераспределение
дефектов между областями с различной плотностью стоков (дислокаций).
В монокристаллах полупроводниковых соединений такое перераспределение
приводит к формированию макронеоднородности по составу в пределах области
гомогенности соединения, а в монокристаллах элементарных
полупроводников — макронеоднородности по плотности вещества. Величина
возникающей неоднородности зависит не только от величины разницы Лд в
различных участках кристалла, но и от абсолютных значений N.
Перераспределение СТД между областями кристалла с разной N
является основной причиной возникновения в нем характерной
макронеоднородности в распределении электрофизических свойств, хорошо
коррелирующей с характером распределения дислокаций. Особенно четко
это проявляется в нелегированных полуизолирующих монокристаллах
GaAs.
Как и в случае бездислокационных
монокристаллов, эффективным способом устранения микродефектов и повышения
однородности монокристаллов с дислокациями является термообработка
выращенных слитков или вырезаемых из них пластин.
Изготовление пластин и
возможности геттерирования загрязняющих примесей
Как отмечалось выше, основной
тенденцией в развитии технологии производства пластин большинства
полупроводниковых материалов является увеличение их диаметра при
одновременном непрерывном ужесточении требований к качеству пластин (общая
и локальная неплос-
