вые устройства. Часть из них,
например сверхпроводниковые болометры и стробоскопические приставки к
осциллографам, выпускалась малыми партиями преимущественно небольшими
фирмами. При этом использовался в основном сверхпроводник
Nb/AJOyNb.
Широко ведутся сегодня работы,
направленные на создание и исследование тонких пленок
высокотемпературных и низкотемпературных сверхпроводниковых материалов,
необходимых для малошумящих смесительных приемных устройств
субмиллиметрового и инфракрасного диапазонов волн, а также
однофотонных детекторов пикосекундного временного разрешения ИК- и
дальней ИК-областей, предназначенных соответственно для
радиоастрономии, спутникового и наземного дистанционного контроля
состояния озонового слоя и загрязнения верхних слоев атмосферы, а также
для применения в волоконной оптике, электронике, спектроскопии
быстропротекающих процессов и исследований свойств вещества. В рамках
раздела «Магнитные и сверхпроводящие материалы» (руководитель — проф., д.
ф.-м. н. Г. Н. Гольцман, Московский педагогический государственный
университет) на основе пленок сверхпроводника NbN созданы смесители
терагерцового диапазона частот с шумовой температурой 1000 К на
частоте гетеродина 1 ТГц и 2000 К на частоте 2,5 ТГц. Полоса
преобразования смесителя составила 4,5 ГГц.
Необходимость криостатирования
НТСП-электроники на гелиевом уровне температур являлась не единственным
препятствием практическому освоению сверхпроводниковых электронных
устройств. Была и еще причина — отсутствие соответствующей технологии,
особенно для числовой сверхпроводниковой электроники, надежного, с
контролируемыми параметрами производства разнообразных элементов,
имеющих высокую плотность компоновки в многослойных системах. Тем не
менее открытие ВТСП-материалов и совершенствование техники
криостатирования на гелиевом, а тем более на азотном уровне
температур, стали мощным стимулом как самих разработок по
сверхпроводниковой электронике, так и их практического использования
в телекоммуникационной, приборной, компьютерной и медицинской
технике.
Сверхпроводниковую электронику
принято подразделять на три подобласти: пассивные сверхпроводящие
элементы, СКВИД-электроника (сверхпроводящие квантовые
интерферометрические устройства) и цифровая техника с большим
количеством, как правило, джозефсоновских переходов.
Смена низкотемпературных
сверхпроводников высокотемпературными важна с точки зрения не только
рабочих температур пассивных
