поля, стабильностью во времени и
пространственной однородностью так называемого замороженного магнитного
поля сверхпроводящего соленоида, к 1990-м годам они сильно потеснили
на рынке более дешевые томографы с резистивными или постоянными магнитами.
Теперь ежегодно выпускается около 1000 сверхпроводниковых
магниторезонансных томографов, и ежегодный объем их продаж превышает 2
млрд долл.
Что касается сверхпроводниковых
сепараторов и индуктивных накопителей, то они делают первые шаги на
рынке. В СССР в свое время был создан объемно-градиентный магнитный
сепаратор для обогащения бедных железистых кварцитов, в США —
высокоградиентные сепараторы для прецизионной очистки каолина и
сверхпроводниковые индуктивные накопители с запасенной энергией масштаба
нескольких киловатт-часов, недавно установленные в системах бесперебойного
обеспечения электропитания ответственных потребителей энергии. И все это
стало возможным после заметного усовершенствования криогенной техники
гелиевого уровня температур, произошедшего в последние
годы.
Таким образом, итогом 40-летнего
(1962—2002 гг.) развития сверхпроводниковой технологии гелиевого
уровня температур стали выдающиеся результаты, полученные при
создании уникальных электрофизических установок, и первые
коммерческие успехи, однако эта технология не смогла существенно повлиять
на облик промышленной электроэнергетики.
Положение радикально изменилось в
1986 г., когда были открыты высокотемпературные сверхпроводники (ВТСП) с
критическими температурами перехода в сверхпроводящее состояние,
быстро достигшими величин, заметно превышающих 77,3 К, т. е. температуру
кипения жидкого азота при нормальном давлении. Появилась возможность
вместо невозобновляемого и дорогого хладагента — жидкого гелия —
использовать жидкий азот. Однако она могла быть реализована, если бы
удалось разработать технологию технических ВТСП-материалов с необходимыми
эксплуатационными качествами и приемлемой стоимостью. Между тем из-за
очень плохих механических свойств ВТСП, являющихся по сути керамикой,
создание технологии токонесущих элементов из ВТСП-материалов
оказалось неизмеримо более сложной задачей, чем технологии сверхпроводящих
обмоточных материалов гелиевого уровня температур. При создании устройств
на основе ВТСП существует еще одно важное ограничение, связанное с
сильными термодинамическими флуктуация-ми параметра порядка,
обусловленными высокой степенью простран-
