нов с разными направлениями
спинов неодинакова — имеет место спин-зависимое рассеяние.
В спиновом клапане с
антиферромагнитно-связанными слоями ферромагнетиков намагниченности
этих слоев в отсутствие внешнего магнитного поля антипараллельны.
Толщина немагнитного слоя (Ru) очень мала, меньше длины свободного пробега
электрона, поэтому в рутении электроны практически не рассеиваются.
Следовательно, электрон проводимости при протекании тока переходит из
одного слоя в другой, с противоположным направлением намагниченности,
и вероятность рассеяния электрона должна измениться. В этом случае
спиновый клапан обладает повышенным сопротивлением. Если же к
многослойному образцу приложить достаточно большое внешнее магнитное
поле, то намагниченности ферромагнитных слоев установятся параллельно
и сопротивление понизится. Рис. 8.11 показывает относительное изменение
электрического сопротивления спинового клапана с приложением
магнитного поля.
Для того чтобы спин-зависимое
рассеяние определяло значительную часть сопротивления, слои должны быть
тоньше, чем длина свободного пробега электрона в массивном материале (~ 10
нм для большинства ферромагнетиков).
Дополнительные данные о
материалах металлических наноструктур, размерах слоев и последовательности
их расположения приведены в табл. 8.14.
Создание высокочувствительных
ГМР-головок чтения позволило избавиться от ограничения, налагаемого
на плотность записи малым раз-
