наМагничивании. В
настоящее время выделяют три основные причины магнитного
гистерезиса:
1. Задержка смещения границ
доменов.
2. Задержка образования
устойчивого зародыша перемагничивания.
3. Необратимые процессы
вращения вектора намагниченности в од-нодоменных частицах.
Каждый из этих механизмов
различным образом определяет величину коэрцитивной силы [Нс
материала. При задержке смещения границ доменов коэрцитивная сила
определяется максимальным градиентом энергии доменной границы
Причиной изменения энергии
доменной границы могут быть или неферромагнитные включения, или внутренние
напряжения. При наличии только неферромагнитных
включений
а при наличии только внутренних напряжений
где 8 и S — толщина и площадь доменной
границы соответственно, о
—
внутренние напряжения.
При задержке образования
устойчивого зародыша перемагничивания коэрцитивная сила jHc
определяется полем старта Нст, при приложении которого
такой зародыш возникает. Поле старта сложным образом зависит от
дефектной структуры материала, локальных значений констант анизотропии и
величины приложенного при намагничивании поля.
В случае, когда гистерезис
обусловлен необратимыми процессами вращения,
где Кэф — эффективная константа
одноосной анизотропии, которая может приобретать различные значения, а
именно: для одноосной кристаллической анизотропии — К^, для одноосной анизотропии
упругих напряжений — 3Kso/2 и для одноосной анизотропии
формы, когда маг-нитотвердая однодоменная частица представляет собой
вытянутый эллипсоид вращения с размагничивающим фактором NA вдоль длинной
оси эллипсоида и /Ув вдоль его короткой оси, — Is2(Nq -
Лд)/2.
