Новые материалы
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 505 506 507 508 509 510 511... 734 735 736
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Таблица 8.1. Предельные значения основных характеристик
магнитотвердых материалов |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Характеристика
магнитотвердого материала |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
4nls
при jHc > 4nls jHc
при ]НС <
4%ls |
|
|
|
(AitlJT)2
при Д. > 4nJJ2
(4nls - ,Hc)jHc при
,HC < 4%IJ2 |
|
|
|
|
| |
|
|
|
|
|
из видов одноосной анизотропии
К, если известна
их намагниченность насыщения и поле анизотропии
ЯА.
Константа магнитной анизотропии
К отражает
степень реализации в материале явления магнитной анизотропии, состоящго в
том, что расположение атомных магнитных моментов и, следовательно,
самопроизвольной намагниченности насыщения 4nls в одних
направлениях кристалла энергетически выгоднее, чем в других. Как
следствие этого, в кристалле существуют направления легкого и трудного
намагничивания. |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Рис. 8.1. Предельные
кривые размагничивания 4%F(H) (/, 2,
3)
и
В(Н)
(/,
2,
3),
И
магнитной энергии (1 , 2 , 3 ) магнитотвердых
материалов:
/, /', /" - для ,Hc>4kIs; 2,
2, 2" - для Д. =
4я/5/2; 3, з', з" - для ,НС <
4п15 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 505 506 507 508 509 510 511... 734 735 736
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |