ниями магнитной проницаемости,
индукцией насыщения и прямоуголь-ностью петли гистерезиса.
Большое значение имеют материалы
для перпендикулярной магнитной записи с перпендикулярной магнитной
анизотропией, к которым относятся монокристаллические пленки с
цилиндрическими магнитными доменами (ЦМД): ортоферриты и
ферриты-гранаты с РЗМ, аморфные магнитные пленки сплавов Gd—Со и
Gd—Fe и пленки на основе ферритов бария. Среди ферритов новый импульс в
развитии получили ферриты с прямоугольной петлей гистерезиса для
использования в импульсной технике и в СВЧ-устройствах в сочетании с
высокотемпературными сверхпроводящими пленками.
В группе сверхпроводящих
материалов научный и практический интерес представляют
низкотемпературные и высокотемпературные сверхпроводники, последние
сохраняют сверхпроводящее состояние до температур жидкого азота, что
существенно расширяет диапазон их применения. Решение технологических
задач, снижающих себестоимость изделий из высокотемпературных
сверхпроводников, позволит в ближайшем будущем производить из них
сверхпроводящие кабели, электрические машины, сверхпроводящие
квантовые интерферометрические устройства и другие
изделия.
8.1. НОВЫЕ МАГНИТОТВЕРДЫЕ МАТЕРИАЛЫ
Основные характеристики магнитотвердых
материалов
Для характеристики
магнитотвердых материалов существенную роль играет кривая
размагничивания, которая представляет собой часть петли гистерезиса,
располагающуюся во втором квадранте. Кривая размагничивания (как и
полная петля гистерезиса) может быть представлена в виде зависимости
намагниченности 4л/ или индукции В от внешнего
магнитного поля Н.
Основными параметрами кривой размагничивания в этом случае
являются остаточная намагниченность 4к1г,
остаточная индукция Вг
коэрцитивная сила {НС
и ВНС,
максимальная магнитная энергия (ВН)тлх.
Анализ предельных кривых размагничивания и кривой магнитной
энергии (рис. 8.1) позволяет оценить предельные значения основных
характеристик магнитотвердого материала, если известна его намагниченность
насыщения 4л/^ (табл. 8.1). Приведенные в таблице соотношения позволяют
оценить теоретический уровень магнитных свойств любых магнитотвердых
материалов, обладающих одним
