Новые материалы

Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу Новые материалы

Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .

Страницы: 1 2 3... 499 500 501 502 503 504 505... 734 735 736

	 как при росте пленок по механизму Фольмера—Вебера аморфный слой не образуется, то отсюда можно заключить, что наличие нановыступов на поверхности подложки приводит к механизму роста пленок, отлич­ному от основных ранее известных типов роста. ПЭМ BP становится важным инструментом и в исследовании повер­хности твердых тел, особенно наноструктурных материалов, где возмож­ности традиционных методов анализа поверхности, таких как сканиру­ющая электронная микроскопия (СЭМ), сканирующая туннельная мик­роскопия (СТМ) и др., ограничены. Совсем недавно ПЭМ BP хорошо себя зарекомендовала для локального анализа тонкого приповерхност­ного слоя наноматериалов. Так, в основе субплантационной модели роста c-BN лежит гипотеза о том, что на поверхности растущего c-BN образуется монослой 5/?2-связанного BN. Для проверки этой гипотезы были выполнены исследования структуры приповерхностного слоя c-BN с помощью ПЭМ BP на поперечных срезах [3]. Установлено, что вер­хний слой пленки содержит чистый c-BN, что свидетельствует о послой­ном гомоэпитаксиальном росте c-BN. Рис. 7.9. Электронно-микроскопическое изображение высокого разрешения (попереч­ное сечение), показывающее зарождение кристаллита LiNbOj на плоской террасе вы­ступа, расположенного на поверхности подложки сапфира. Направление падающего электронного пучка совпадает с направлением [2110|ПОД1,. Боковые границы выступа по­казаны стрелками [14] 502 rss Карта

Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу