Новые материалы

Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу Новые материалы

Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .

Страницы: 1 2 3... 497 498 499 500 501 502 503... 734 735 736

	 НОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ сти двойникования c-BN оказываются строго параллельными базисным плоскостям ромбоэдрического BN и между c-BN и r-BN выполняются следующие ОС: Это свидетельствует о гетероэпитаксиальном росте c-BN. ПЭМ BP на поперечных срезах также позволяет анализировать гра­ницу раздела покрытие/подложка, что дает возможность судить не толь­ко об их кристаллографической связи, но и о механизме роста пленок. Известно, что поверхность подложки, как правило, не является атоми­стически плоской и может содержать различные неровности (ступеньки роста, дефекты полировки и т.д.). В то же время в литературе имеется довольно ограниченное количество данных по влиянию нанорельефа поверхности подложки на морфологию тонких пленок. На рис. 7.9 показано электронно-микроскопическое изображение вы­сокого разрешения (поперечное сечение) переходной зоны покрытие LiNb0 7Та0 303/подложка А1203 [14]. На поверхности сапфировой подлож­ки хорошо виден отдельный кристаллит с боковым размером 30 нм, рас­положенный на выступе высотой 1...2нм. Такие выступы, являющиеся де­фектами полировки, наблюдались только на поперечных срезах в направ­лении [2110] и не отмечались в направлении [1010]. Ступеньки по обе стороны от выступов показаны на рисунке стрелками. Эти ступеньки являются наиболее благоприятными низкоэнергетическими местами для зарождения пленок. Хорошо видно, что боковой размер кристаллита на стадии зарождения определяется шириной выступов на поверхности под­ложки. Ориентировка внешних плоскостей ступенек является во многом определяющей для установления эпитаксиальной связи покрытие/подлож­ка. Как видно на рис. 7.9, внешняя атомная плоскость террасы строго не совпадает с плоскостью (ОООГ) сапфира. Боковые грани выступа также не совпадают с плоскостью {1120}. Следовательно, новая фаза, зарождающа­яся на крае выступа, может быть связана с подложкой ОС, отличным от эпитаксиальной связи (0001)пл //(0001)полл. и [1120]пл.//[1120]гюлл, что и наблюдается экспериментально. В этом случае кристатлиты могут иметь различную ориентировку, которая, однако, не является случайной. Известно, что существуют два основных механизма роста пленок: образование изолированных трехмерных островков (механизм Фольмера- 500 rss Карта

Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу